WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014002332) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/002332    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/001601
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 12.03.2013
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01)
Déposants : PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
Inventeurs : MORI, Mitsuyoshi; .
MIYAGAWA, Ryohei; .
OHMORI, Yoshiyuki; .
SATO, Yoshihiro; .
HIROSE, Yutaka; .
SAKATA, Yusuke; .
OKINO, Toru;
Mandataire : NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-144764 27.06.2012 JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像装置
Abrégé : front page image
(EN) The solid-state imaging device of the present disclosure is provided with: a charge accumulation region (104) which accumulates a signal charge photoelectrically converted by a photoelectric conversion film (114); an amplification transistor (108a) which amplifies the signal charge accumulated by the charge accumulation region (104) of the corresponding pixel (11); a contact plug (107) which is electrically connected to the charge accumulation region (104), and which is formed from a semiconductor material; and wiring (107a) which is formed from a semiconductor material over the contact plug (107). The contact plug (107) and the charge accumulation region (104) are electrically connected, and the contact plug (107) and the gate electrode of the amplification transistor (108a) are electrically connected via the wiring (107a).
(FR)Le dispositif d'imagerie à semi-conducteurs de la présente invention comporte : une région d'accumulation de charges (104) qui accumule une charge de signal convertie photoélectriquement par un film de conversion photoélectrique (114); un transistor d'amplification (108a) qui amplifie la charge de signal accumulée par la région d'accumulation de charges (104) du pixel correspondant (11); une prise de contact (107) qui est connectée électriquement à la région d'accumulation de charges (104), et qui est formée d'un matériau semi-conducteur; et un câblage (107a) qui est formé d'un matériau semi-conducteur sur la prise de contact (107). La prise de contact (107) et la région d'accumulation de charges (104) sont connectées électriquement, et la prise de contact (107) et l'électrode de grille du transistor d'amplification (108a) sont connectées électriquement par l'intermédiaire du câblage (107a).
(JA) 本開示の固体撮像装置は、光電変換膜(114)により光電変換された信号電荷を蓄積する電荷蓄積領域(104)と、対応する画素(11)の電荷蓄積領域(104)に蓄積されている信号電荷を増幅する増幅トランジスタ(108a)と、電荷蓄積領域(104)と電気的に接続された半導体材料で構成されているコンタクトプラグ(107)と、コンタクトプラグ(107)の上方に、半導体材料で構成されている配線(107a)とを備え、コンタクトプラグ(107)と電荷蓄積領域(104)とは電気的に接続され、コンタクトプラグ(107)と増幅トランジスタ(108a)のゲート電極とは配線(107a)を介して電気的に接続されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)