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1. (WO2014002328) DISPOSITIF DE PULVÉRISATION CATHODIQUE ET PROCÉDÉ DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/002328    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/001095
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 26.02.2013
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.03.2014    
CIB :
C23C 14/34 (2006.01)
Déposants : CANON ANELVA CORPORATION [JP/JP]; 2-5-1, Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550 (JP)
Inventeurs : TSUNEKAWA, Koji; (JP)
Mandataire : OKABE, Yuzuru; 22F, Marunouchi Kitaguchi Bldg., 1-6-5 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-146853 29.06.2012 JP
2012-233710 23.10.2012 JP
Titre (EN) SPUTTERING DEVICE AND SPUTTERING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE PULVÉRISATION CATHODIQUE ET PROCÉDÉ DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
(JA) スパッタリング装置およびスパッタリング方法
Abrégé : front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide a sputtering device and method by which a sufficient film thickness distribution in a substrate plane can be obtained even if a target projection plane is not projected onto the substrate. In one embodiment of the present invention, a sputtering device provided with a treatment chamber for treating a substrate, a substrate holder which is arranged in the interior of the treatment chamber and is able to rotate in the in-plane direction of the substrate while the substrate is being held, and a sputtering cathode positioned to be diagonally opposite the substrate holder and arranged at an incline in relation to the substrate holder is characterized in that the projection plane of the target-holding surface of the sputtering cathode projected in the center normal direction of the target-holding surface onto a plane that includes the substrate-mounting surface of the substrate holder is formed further outside than the substrate-mounting surface of the substrate holder, and the center normal line of the substrate-mounting surface and the center normal line of the sputtering cathode are not in the same plane.
(FR)La présente invention a pour but de proposer un dispositif et un procédé de pulvérisation cathodique par lesquels une distribution d'épaisseur de film suffisante dans un plan de substrat peut être obtenue même si un plan de projection cible n'est pas projeté sur le substrat. Dans un mode de réalisation de la présente invention, un dispositif de pulvérisation cathodique doté d'une chambre de traitement pour traiter un substrat, d'un support de substrat qui est disposé à l'intérieur de la chambre de traitement et est apte à tourner dans la direction dans le plan du substrat tandis que le substrat est maintenu, et d'une cathode de pulvérisation cathodique positionnée pour être opposée suivant la diagonale au support de substrat et disposée de façon inclinée par rapport au support du substrat, est caractérisé en ce que le plan de projection de la surface de support de cible de la cathode de pulvérisation cathodique projeté dans la direction normale centrale de la surface de maintien de cible sur un plan qui comprend la surface de montage de substrat du support de substrat est formé davantage à l'extérieur que la surface de montage dudit substrat du support de substrat, et la ligne normale centrale de la surface de montage de substrat et la ligne normale centrale de la cathode de pulvérisation cathodique ne sont pas dans le même plan.
(JA) 本発明はターゲット投影面を基板上に投影させない場合においても、十分な基板面内の膜厚分布が得られるスパッタリング装置および方法を提供することを目的とする。本発明の一実施形態では、基板を処理するための処理室と、前記処理室の内部に配置され、前記基板を保持した状態において前記基板の面内方向に回転可能である基板ホルダと、前記基板ホルダの斜向かいに位置し、前記基板ホルダに対して傾いて配置されたスパッタリングカソードとを備えたスパッタリング装置において、前記基板ホルダの基板載置面を含む面上に対して、前記スパッタリングカソードのターゲット保持面の中心法線方向に投影される前記ターゲット保持面の投影面が、前記基板ホルダの基板載置面よりも外側に形成され、前記基板載置面の中心法線と前記スパッタリングカソードの中心法線とが同一面上に無いことを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)