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1. (WO2014002257) CELLULE SOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/002257    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/066726
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 29.06.2012
CIB :
H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : SANYO Electric Co., Ltd. [JP/JP]; 5-5, Keihan-Hondori 2-chome, Moriguchi City, Osaka 5708677 (JP) (Tous Sauf US).
KIRIHATA, Yutaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKASU, Masato [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SOTANI, Naoya [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KIRIHATA, Yutaka; (JP).
NAKASU, Masato; (JP).
SOTANI, Naoya; (JP)
Mandataire : MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SOLAR CELL
(FR) CELLULE SOLAIRE
(JA) 太陽電池
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a solar cell having improved photoelectric conversion efficiency. A first crystalline semiconductor layer (13nc) is positioned between a first amorphous semiconductor layer (11na) of a first conductive type and an i-type amorphous semiconductor layer (12ia), in a region on a substrate (10n) comprising a semiconductor material. The first crystalline semiconductor layer (13nc) is of the first conductive type. A second crystalline semiconductor layer (13pc) is positioned between the first crystalline semiconductor layer (13nc) and the i-type amorphous semiconductor layer (12ia). The second crystalline semiconductor layer (13pc) is of another conductive type.
(FR)Cette invention concerne une cellule solaire présentant une efficacité de conversion photoélectrique améliorée. Une première couche de semi-conducteur cristallin (13nc) est disposée entre une première couche de semi-conducteur amorphe (11na) d'un premier type de conductivité et une couche de semi-conducteur amorphe de type I (12ia), dans une région sur un substrat (10n) comprenant un matériau semi-conducteur. La première couche de semi-conducteur cristallin (13nc) présente la conductivité du premier type. Une seconde couche de semi-conducteur cristallin (13pc) est disposée ente la première couche de semi-conducteur cristallin (13nc) et la couche de semi-conducteur amorphe de type I (12ia). La seconde couche de semi-conducteur cristallin (13pc) présente une conductivité d'un autre type.
(JA)改善された光電変換効率を有する太陽電池を提供する。半導体材料からなる基板(10n)の一領域の上において、第1の結晶半導体層(13nc)は、一の導電型を有する第1のアモルファス半導体層(11na)とi型アモルファス半導体層(12ia)との間に配されている。第1の結晶半導体層(13nc)は、一の導電型を有する。第2の結晶半導体層(13pc)は、第1の結晶半導体層(13nc)とi型アモルファス半導体層(12ia)との間に配されている。第2の結晶半導体層(13pc)は、他の導電型を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)