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1. (WO2014002152) ÉLÉMENT DE DÉVELOPPEMENT, CARTOUCHE DE TRAITEMENT ET DISPOSITIF D'ÉLECTROPHOTOGRAPHIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/002152    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/006682
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 18.10.2012
CIB :
G03G 15/08 (2006.01), C08K 3/00 (2006.01), C08L 25/02 (2006.01), C08L 33/06 (2006.01), C08L 75/04 (2006.01)
Déposants : CANON KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 30-2, Shimomaruko 3-chome, Ohta-ku, Tokyo 1468501 (JP)
Inventeurs : YAMADA, Masaki; (JP).
KOYANAGI, Takashi; (JP).
KAWAMURA, Kunimasa; (JP).
NAKAMURA, Minoru; (JP).
SAKURAI, Yuji; (JP).
URUSHIHARA, Shohei; (JP)
Mandataire : OKABE, Yuzuru; 22F, Marunouchi Kitaguchi Bldg., 1-6-5 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-144345 27.06.2012 JP
2012-229478 17.10.2012 JP
Titre (EN) DEVELOPMENT MEMBER, PROCESS CARTRIDGE, AND ELECTROPHOTOGRAPHY DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE DÉVELOPPEMENT, CARTOUCHE DE TRAITEMENT ET DISPOSITIF D'ÉLECTROPHOTOGRAPHIE
(JA) 現像部材、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
Abrégé : front page image
(EN)A high-grade development member is provided that has excellent filming resistance and excellent leak resistance despite having high conductivity. The development member comprises a conductive substrate, an elastic layer that is formed on the substrate, and a surface layer that covers the surface of the elastic layer. The surface layer comprises: the structure represented by structural formula (1) between two adjacent urethane bonds; a first resin comprising one or both of the structures selected from between the structure represented by structural formula (2) and the structure represented by structural formula (3); the structure represented by structural formula (4); a second resin comprising one or both of the structures selected from between the structure represented by structural formula (5) and the structure represented by structural formula (6); and an electron-conductive filler.
(FR)L'invention porte sur un élément de développement de haute qualité qui a une excellente résistance à la formation de film et une excellente résistance aux fuites bien qu'il ait une conductivité élevée. L'élément de développement comprend un substrat conducteur, une couche élastique qui est formée sur le substrat et une couche de surface qui recouvre la surface de la couche élastique. La couche de surface comprend : la structure représentée par la formule de structure (1) entre deux liaisons uréthane adjacentes ; une première résine comprenant la structure représentée par la formule de structure (2) et/ou la structure représentée par la formule de structure (3) ; la structure représentée par la formule de structure (4) ; une seconde résine comprenant la structure représentée par la formule de structure (5) et/ou la structure représentée par la formule de structure (6) ; et une charge conductrice d'électrons.
(JA)耐フィルミング性に優れ、かつ高い導電性であっても耐リーク性に優れる高品位の現像部材の提供。該現像部材は、導電性の基体と、該基体上に形成された弾性層と、該弾性層の表面を被覆している表面層とを有し、該表面層は、隣接する2つのウレタン結合の間に構造式(1)で示される構造と、構造式(2)で示される構造及び構造式(3)で示される構造から選ばれる一方又は両方の構造とを有する第1の樹脂と、構造式(4)で示される構造と、構造式(5)で示される構造及び構造式(6)で示される構造から選ばれる一方又は両方の構造とを有する第2の樹脂と、電子導電性フィラーと、を含有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)