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1. (WO2014002082) DISPOSITIF PHOTODÉTECTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/002082    N° de la demande internationale :    PCT/IL2013/050521
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 18.06.2013
CIB :
H01L 31/101 (2006.01), H01L 31/0304 (2006.01)
Déposants : ELTA SYSTEMS LTD. [IL/IL]; 100 Yitzchak Hanassi P.O.B. 330 77102 Ashdod (IL)
Inventeurs : COHEN, Noam; (IL)
Mandataire : REINHOLD COHN AND PARTNERS; P.O.Box 13239 61131 Tel Aviv (IL)
Données relatives à la priorité :
220676 28.06.2012 IL
Titre (EN) INFRARED PHOTODETECTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF PHOTODÉTECTEUR
Abrégé : front page image
(EN)The present disclosure provides a photodetector device comprising a lattice matched heterostructure with a sequence of a first contact layer (12), an absorbing layer (13), a barrier layer (14), and a second contact layer(15). The absorbing layer (12) is made of a ternary alloy of InPSb. An energy bandgap of the barrier layer (14) is wider than that of the absorbing layer (12) and is configured so that the conduction band of the barrier layer (14) presents a discontinuity with the conduction band of the absorbing layer (12). The barrier layer (14) blocks the flow of thermally generated majority carriers while allowing the flow of minority carriers from the absorbing layer (12) across the barrier layer. The absorbing layer, the barrier layer, and the first and second contact layers are configured so that substantially no offset appear at the valence band edge. The photodetector device allows radiation detection in the extended wavelength SWIR range at operating temperatures close to room temperature.
(FR)La présente invention concerne un dispositif photodétecteur comprenant une hétérostructure comportant une séquence d'une première couche de contact, d'une couche absorbante, d'une couche barrière et d'une seconde couche de contact. La couche absorbante comprend (ou est constituée de/ou comporte) un alliage ternaire d'InPSb; une bande d'énergie interdite de la couche barrière est plus large que la couche d'absorption et est conçue de telle sorte que la bande de conduction de l'hétérostructure présente une discontinuité avec la couche absorbante; la couche de contact, la couche de barrière, et les première et seconde couches de contact sont conçues de telle sorte que sensiblement aucun décalage n'apparaître au niveau de la bande de valence.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)