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1. (WO2014002024) MODULE LASER POUR PROFILS D'INTENSITÉ EN FORME DE LIGNE HOMOGÈNE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/002024    N° de la demande internationale :    PCT/IB2013/055241
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 26.06.2013
CIB :
H01S 5/022 (2006.01), H01S 5/42 (2006.01), H01S 5/00 (2006.01), H01S 5/183 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS N.V. [NL/NL]; High Tech Campus 5 NL-5656 AE Eindhoven (NL) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
PHILIPS GMBH [DE/DE]; Lübeckertordamm 5 20099 Hamburg (DE) (DE only)
Inventeurs : GRONENBORN, Stephan; (NL).
POLLMANN-RETSCH, Jens; (NL)
Mandataire : KROEZE, Johannes Antonius; High Tech Campus, Building 5 NL-5656 AE Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
61/664,218 26.06.2012 US
Titre (EN) LASER MODULE FOR HOMOGENEOUS LINE-SHAPED INTENSITY PROFILES
(FR) MODULE LASER POUR PROFILS D'INTENSITÉ EN FORME DE LIGNE HOMOGÈNE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a laser module comprising several sub- modules (1) arranged side by side along a first axis (10) on a common carrier. Each of said sub-modules (1) comprises a laser area (8) formed of one or several arrays of semiconductor lasers arranged on a surface of the sub-module (1). Laser radiation emitted by each of said semiconductor lasers (2) forms an intensity distribution in a working plane facing said surface of the sub-modules (1). The sub-modules (1) and laser areas (8) are designed and arranged such that the laser areas (8) of adjacent sub-modules (1) partly overlap in a direction perpendicular to said first axis (10). With such a laser module a thin laser line focus can be generated having a homogeneous intensity distribution along the length of the laser line independent on the distance between the module and the working plane. The individual semiconductor lasers (2) may be VCSEL with a rectangularly shaped emission.
(FR)La présente invention concerne un module laser comprenant plusieurs sous-modules (1) agencés côte à côte le long d'un premier axe (10) sur un support commun. Chacun desdits sous-modules (1) comprend une zone de laser (8) formée d'un ou plusieurs réseaux de lasers à semi-conducteurs (5) agencés sur une surface du sous-module (1). Un rayonnement laser émis par lesdits lasers à semi-conducteurs (5) forme une distribution d'intensité dans un plan de travail tourné vers ladite surface des sous-modules (1). Les sous-modules (1) et les zones de laser (8) sont conçus et agencés de telle sorte que les zones de laser (8) de sous-modules adjacents (1) se chevauchent partiellement dans une direction perpendiculaire audit premier axe (10). Un tel module de laser permet de générer, une fine ligne focale de laser ayant une distribution d'intensité homogène sur la longueur indépendamment de la distance entre le module et le plan de travail. Les lasers à semi-conducteurs (2) individuels peuvent se présenter sous la forme de VCSEL à émission rectangulaire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)