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1. (WO2014001840) DÉTECTEUR PIN SL DE TYPE II BASÉ SUR INAS/ALSB/GASB AVEC CONFIGURATIONS P SUR N ET N SUR P
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/001840    N° de la demande internationale :    PCT/IB2012/053222
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 26.06.2012
CIB :
H01L 31/0304 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 31/0352 (2006.01), H01L 31/105 (2006.01), H01L 29/15 (2006.01)
Déposants : ASELSAN ELEKTRONIK SANAYI VE TICARET ANONIM SIRKETI [TR/TR]; Mehmet Akif Ersoy Mahallesi 296. Cadde No:16 Macunkoy Ankara (TR) (Tous Sauf US).
ERGUN, Yuksel [TR/TR]; (TR) (US Seulement).
HOSTUT, Mustafa [TR/TR]; (TR) (US Seulement)
Inventeurs : ERGUN, Yuksel; (TR).
HOSTUT, Mustafa; (TR)
Mandataire : ANKARA PATENT BUREAU LIMITED; Bestekar Sokak No: 10 Kavaklidere 06680 Ankara (TR)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) INAS/ALSB/GASB BASED TYPE- II SL PIN DETECTOR WITH P ON N AND N ON P CONFIGURATIONS
(FR) DÉTECTEUR PIN SL DE TYPE II BASÉ SUR INAS/ALSB/GASB AVEC CONFIGURATIONS P SUR N ET N SUR P
Abrégé : front page image
(EN)Novel N-structured In As/Al Sb(Al Ga Sb)/Ga Sb based type-II SL pin detector with p on n and n on p configurations are given to detect light in the Mid Wavelength Infrared Range-MWIR with a cut-off wavelength of 5µm. Better carrier confinements are performed by placing AlSb layers switching from InAs layers to Ga Sb layers successively in the growth direction throughout the SL pin diode where zero bias detectivity is improved as 6x1013 A/Hz1/2 at a wavelength of 4.2 µm at 79K. RoA value is measured as 1.8x106 Ωcm2 which is better than nBn devices. Dark current density is also obtained in the range of 4-7x10-7 A/cm at zero bias and Vb=0.3V respectively at 79K.
(FR)La présente invention concerne un nouveau détecteur PIN SL de type II basé sur In As/Al Sb(Al Ga Sb)/Ga Sb à structure N avec des configurations p sur n et n sur p destiné à détecter la lumière dans la gamme infrarouge à longueur d'onde moyenne (MWIR) avec une longueur d'onde de coupure de 5 µm. De meilleurs confinements de porteuse sont réalisés en plaçant des couches AlSb permutant de couches InAs à des couches Ga Sb successivement dans le sens de croissance sur l'ensemble de la diode PIN SL où une capacité de détection de polarisation zéro est améliorée selon 6x1013 A/Hz1/2 à une longueur d'onde de 4,2 µm à 79 K. La valeur RoA est mesurée comme étant 1,8x106 Ωcm2, ce qui est mieux que les dispositifs nBn. La densité de courant d'obscurité est également obtenue dans la gamme de 4-7x10-7 A/cm à polarisation zéro et Vb=0,3 V respectivement à 79 K.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)