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1. (WO2014001817) DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/001817    N° de la demande internationale :    PCT/GB2013/051726
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 28.06.2013
CIB :
H01L 51/42 (2006.01)
Déposants : CAMBRIDGE ENTERPRISE LIMITED [GB/GB]; The Old Schools Trinity Lane Cambridge Cambridgeshire CB2 1TN (GB)
Inventeurs : FRIEND, Richard Henry; (GB).
GREENHAM, Neil Clement; (GB).
EHRLER, Bruno; (GB)
Mandataire : TLIP LTD; Label Media Offices 3rd Floor Broderick House 43-51 Cookridge Street Leeds LS2 3AW (GB)
Données relatives à la priorité :
1211622.4 29.06.2012 GB
Titre (EN) PHOTOVOLTAIC DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF
(FR) DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A photovoltaic device comprising: a first electrode, a second electrode, and disposed between the first electrode and the second electrode an organic semiconductor layer capable of multiple exciton generation and an inorganic semiconductor layer, wherein an interlayer comprising an inorganic semiconductor such as a semiconductor nanocrystal is disposed between the organic and inorganic semiconductor layers.
(FR)La présente invention concerne un dispositif photovoltaïque comprenant : une première électrode, une deuxième électrode et, disposées entre la première électrode et la deuxième électrode, une couche de semi-conducteur organique susceptible de générer plusieurs excitons et une couche de semi-conducteur inorganique, une couche intermédiaire comprenant un semi-conducteur inorganique tel qu'un nanocristal semi-conducteur étant disposée entre les couches de semi-conducteur organique et inorganique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)