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1. (WO2014001709) ÉQUIPEMENT DE TRAITEMENT DE SURFACE PAR PLASMA GÉNÉRÉ EX-SITU ET PROCÉDÉ ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/001709    N° de la demande internationale :    PCT/FR2013/051481
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 26.06.2013
CIB :
H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : SEMCO ENGINEERING [FR/FR]; Parc Euromédecine, 625 rue de la Croix Verte F-34196 MONTPELLIER Cedex 5 (FR)
Inventeurs : LORETZ, Jean Charles; (FR).
PELLEGRIN, Yvon; (FR)
Mandataire : LEFEVRE, Marianne; RAVINA SA 8 rue des Briquetiers, BP 10077, ZA Font Grasse F-31703 Blagnac Cedex (FR)
Données relatives à la priorité :
1256144 27.06.2012 FR
Titre (EN) DEVICE FOR SURFACE TREATMENT WITH PLASMA GENERATED EX SITU, AND RELATED METHOD
(FR) ÉQUIPEMENT DE TRAITEMENT DE SURFACE PAR PLASMA GÉNÉRÉ EX-SITU ET PROCÉDÉ ASSOCIÉ
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a reactor for treating wafers (100) of silicon or another semiconductor material with plasma, including: i) a reaction chamber (1) provided with a plurality of mountings (10) suitable for receiving said wafers; and ii) a plasma generator (2) outside the reaction chamber and comprising a plasma chamber (3), a device (9) for supplying said chamber with at least one precursor gas, and a radiofrequency generator (4), said reactor including a means for transporting a stream of reactive species formed in the chamber (3) from the latter into the reaction chamber (1), which includes a plurality of hollow compartments (11) which are each placed above a wafer mounting (10) and receive a duct (7) for transporting an amount of reactive species, said compartments comprising, at the bottom thereof, a perforated grating (12) so as to distribute said amount of reactive species in the vicinity of the wafer mounting (10) above which said compartments are arranged. The invention also relates to a method for treating wafers with plasma, said wafers being made of semiconductor materials and intended for manufacturing solar cells, in particular by texturising the active surface of the wafers, with a view to improving the light-energy absorption efficiency thereof, polishing the back surface thereof, etching trenches, and boring holes in dielectric or silicon layers.
(FR)L'invention a pour objet un réacteur de traitement par plasma de plaquettes (100) de silicium ou d'un autre matériau semi-conducteur, comprenant i) une enceinte réactionnelle (1) munie d'une pluralité de supports (10) aptes à recevoir lesdites plaquettes et ii) un générateur de plasma (2) extérieur à l'enceinte réactionnelle, comportant une chambre plasma (3), un dispositif d'alimentation (9) de ladite chambre en au moins un gaz précurseur, et un générateur de radiofréquences (4), ledit réacteur comprenant des moyens pour amener un flux d'espèces réactives formées dans la chambre (3), depuis celle-ci jusque dans l'enceinte réactionnelle (1), laquelle comprend une pluralité de compartiments creux (11), chacun placé au-dessus d'un support (10) de plaquette et recevant un conduit (7) d'amenée d'une quantité d'espèces réactives, lesdits compartiments comportant à leur base une grille perforée (12) de manière à distribuer ladite quantité d'espèces réactives à proximité du support (10) de plaquette qu'ils surmontent. Est également objet de l'invention un procédé de traitement par plasma de plaquettes de matériaux semi-conducteurs destinées à la fabrication des cellules solaires, en particulier par texturisation de la face active des plaquettes, en vue d'améliorer l'efficacité d'absorption de l'énergie lumineuse, polissage de la face arrière, gravure de tranchées, perçages de trous dans des couches de silicium ou de diélectrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)