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1. (WO2014001380) STRUCTURE DE NITRURE DE GROUPE III
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/001380    N° de la demande internationale :    PCT/EP2013/063362
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 26.06.2013
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.04.2014    
CIB :
H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/24 (2010.01)
Déposants : POLAR LIGHT TECHNOLOGIES AB [SE/SE]; c/o Per-Olof Holtz Nattstuvugatan 3 S-582 44 Linköping (SE)
Inventeurs : KARLSSON, Fredrik; (SE).
HSU, Chih-Wei; (SE).
LUNDSKOG, Anders; (AT)
Mandataire : AURELL, Henrik; Zacco Sweden AB P.O Box 5581 S-114 85 Stockholm (SE)
Données relatives à la priorité :
1200384-4 26.06.2012 SE
Titre (EN) GROUP-III NITRIDE STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE NITRURE DE GROUPE III
Abrégé : front page image
(EN)Group-III nitride structure comprising at least one structure pyramid having a base having at least four sides. The structure pyramid comprises an inner pyramid having a base having at least four sides, which inner pyramid is made of a first group-III nitride. The inner pyramid is coated with an inner first layer made of a second group-III nitride and an outer second layer made of a third group-III nitride, wherein the second group-III nitride has a lower band gap than the first group-III nitride and a lower band gap than the third group-III nitride. The base of the structure pyramid is elongated resulting in an upper ridge creating at least one anisotropic quantum dot. Method for producing a group-III nitride structure comprising providing a substrate;providing a masking film on the substrate, which film comprises at least one elongated aperture; growth of a first group-III nitride on the substrate;deposition of an inner first layer of a second group-III nitride on the first group-III nitride;deposition of an outer second layer of a third group-III nitride on the second group-III nitride, wherein the second group-III nitride has a lower band gap than the first group-III nitride and a lower band gap than the third group-III nitride.
(FR)La présente invention concerne une structure de nitrure de groupe III comprenant au moins une pyramide de structure dotée d'une base ayant au moins quatre côtés. La pyramide de structure comprend une pyramide interne dotée d'une base ayant au moins quatre côtés, laquelle pyramide interne est composée d'un premier nitrure de groupe III. La pyramide interne est recouverte d'une première couche interne composée d'un deuxième nitrure de groupe III et d'une deuxième couche externe composée d'un troisième nitrure de groupe III, le deuxième nitrure de groupe III comprenant une bande interdite inférieure au premier nitrure de groupe III et une bande interdite inférieure au troisième nitrure de groupe III. La base de la pyramide de structure est allongée, entraînant une crête supérieure créant au moins une boîte quantique anisotrope. La présente invention concerne également un procédé de production d'une structure de nitrure de groupe III comprenant les étapes consistant à fournir un substrat; fournir un film masque sur le substrat, ledit film comprenant au moins une ouverture allongée; faire croître un premier nitrure de groupe III sur le substrat; déposer une première couche interne d'un deuxième nitrure de groupe III sur le premier nitrure de groupe III; déposer une deuxième couche externe d'un troisième nitrure de groupe III sur le deuxième nitrure de groupe III, le deuxième nitrure de groupe III comprenant une bande interdite inférieure au premier nitrure de groupe III et une bande interdite inférieure au troisième nitrure de groupe III.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)