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1. (WO2014000880) DISPOSITIF MÉMOIRE FERROÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/000880    N° de la demande internationale :    PCT/EP2013/001855
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 25.06.2013
CIB :
H01L 27/115 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), C23C 16/40 (2006.01), G11C 11/56 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 49/02 (2006.01), G11C 11/22 (2006.01)
Déposants : FRANTTI, Johannes [FI/FI]; (FI).
FUJIOKA, Yukari [JP/FI]; (FI)
Inventeurs : FRANTTI, Johannes; (FI).
FUJIOKA, Yukari; (FI)
Mandataire : NORRIS, Timothy Sweyn; Basck Ipr Ltd 9 Meadowford Newport Saffron Walden, Essex CB11 3QL (GB)
Données relatives à la priorité :
1211267.8 25.06.2012 GB
Titre (EN) FERROELECTRIC MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF MÉMOIRE FERROÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A memory device (700) for storing data includes at least one memory cell, and wherein the at least one memory cell includes at least one ferroelectric element (710) therein for storing data therein by way of one or more polarization directions of the at least ferroelectric element. The at least one ferroelectric element is fabricated comprises a ferroelectric material having a plurality of co¬ existing phases. Optionally, the at least one ferroelectric element is fabricated from Lead Zirconate Titanate material whose composition corresponds to a morphotropic phase boundary composition. More optionally, the Lead Zirconate Titanate material has a composition Pb(ZrxTi1-x)O3, wherein a parameter x is in a range of 0.52 to 0.56. The at least one ferroelectric element is provided with an electrode arrangement (720) which enables the at least one ferroelectric element to store a plurality of bits of data.
(FR)L'invention concerne un dispositif mémoire (700) pour stocker des données qui comprend au moins une cellule mémoire, ladite au moins une cellule mémoire comprenant au moins un élément ferroélectrique (710) en son sein pour stocker des données dans celui-ci au moyen d'une ou plusieurs directions de polarisation dudit au moins un élément ferroélectrique. Ledit au moins un élément ferroélectrique est fabriqué pour comprendre un matériau ferroélectrique ayant une pluralité de phases coexistantes. Éventuellement, ledit au moins un élément ferroélectrique est fabriqué à partir d'un matériau de titano-zirconate de plomb dont la composition correspond à une composition de limite de phase morphotropique. Également éventuellement, le matériau de titano-zirconate de plomb possède une composition Pb(ZrxTi1-x)O3, un paramètre x se situant dans une plage allant de 0,52 à 0,56. Ledit au moins un élément ferroélectrique comprend un agencement d'électrode (720) qui permet au au moins un élément ferroélectrique de stocker une pluralité de bits de données.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)