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1. (WO2014000340) DISPOSITIF DE PUISSANCE À SEMI-CONDUCTEURS À GRILLE EN TRANCHÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/000340    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/081098
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 07.09.2012
CIB :
H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA [CN/CN]; No.2006.Xiyuan Ave, (West) Hi-tech Zone Chengdu, Sichuan 611731 (CN) (Tous Sauf US).
LUO, Xiaorong [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
JIANG, Yongheng [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
CAI, Jinyong [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
FAN, Ye [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
WANG, Pei [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
WANG, Xiaowei [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
ZHOU, Kun [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
WANG, Qi [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
LUO, Yinchun [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
ZHANG, Bo [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : LUO, Xiaorong; (CN).
JIANG, Yongheng; (CN).
CAI, Jinyong; (CN).
FAN, Ye; (CN).
WANG, Pei; (CN).
WANG, Xiaowei; (CN).
ZHOU, Kun; (CN).
WANG, Qi; (CN).
LUO, Yinchun; (CN).
ZHANG, Bo; (CN)
Mandataire : CHENGDU HONGQIAO PATENT LAW OFFICE; Room 13, 15, 16, 3rd Floor KEN Commerce Office Building No. 22 South Section One, First Ring Road Wuhou District, Chengdu Sichuan 610041 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210220695.5 29.06.2012 CN
Titre (EN) TRENCH-GATE SEMICONDUCTOR POWER DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE PUISSANCE À SEMI-CONDUCTEURS À GRILLE EN TRANCHÉE
(ZH) 槽栅半导体功率器件
Abrégé : front page image
(EN)A trench-gate semiconductor power device, which adds two high-K dielectric regions (4) at the left side and the right side of a semiconductor drift region, wherein the two sides of a first semiconductor region (2) in the semiconductor drift region are in contact with two second semiconductor regions (3), and the two high-K dielectric regions (4) are respectively in contact with the other sides of the two second semiconductor regions (3), thereby solving the problem that the existing semiconductor device cannot exert the high-K dielectric function in the case of relatively wide spacing and small density of dielectric trenches, and enabling the reduction of the specific on-resistance, the increase of the voltage resistance, and the application to an MOS device or an MOS controlled semiconductor device.
(FR)La présente invention porte sur un dispositif de puissance à semi-conducteurs à grille en tranchée, qui ajoute deux régions de diélectrique à K élevé (4) sur le côté gauche et le côté droit d'une région de dérive de semi-conducteur, les deux côtés d'une première région de semi-conducteur (2) dans la région de dérive de semi-conducteur étant en contact avec deux secondes régions de semi-conducteur (3), et les deux régions de diélectrique à K élevé (4) étant respectivement en contact avec les autres côtés des deux secondes régions de semi-conducteur (3), résolvant ainsi le problème selon lequel le dispositif à semi-conducteurs existant ne peut pas exercer la fonction de diélectrique à K élevé dans le cas d'un espacement relativement large et d'une petite densité de tranchées de diélectrique, et permettant la réduction de la résistance à l'état conducteur spécifique, l'augmentation de la résistance de tension, et l'application à un dispositif MOS ou un dispositif à semi-conducteurs commandé par MOS.
(ZH)一种槽栅半导体功率器件,其在半导体漂移区左右两侧增加了两个高K介质区(4),半导体漂移区中第一半导体区(2)的两侧与两个第二半导体区(3)相接触,两个高K介质区(4)分别与两个第二半导体区(3)的另一侧相接触。解决了现有半导体器件在介质槽相对大间距、小密度情况下无法发挥高K介质作用问题,能降低比导通电阻,提高耐压,适用于MOS器件或MOS控制的半导体器件。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)