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1. (WO2014000320) SOLUTION DE GRAVURE POUR CONDUCTEUR EN CUIVRE DE SUBSTRAT DE RÉSEAU TFT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/000320    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/078260
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 06.07.2012
CIB :
C23F 1/18 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; NO.9-2, Tangming Road, Guangming district of Shenzhen, Guangdong 518132 (CN) (Tous Sauf US).
KOU, Hao [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : KOU, Hao; (CN)
Mandataire : COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; Room 307, Floor 3 Block 1 News Building, ShennanZhongRoad Shenzhen, Guangdong 518027 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210213150.1 26.06.2012 CN
Titre (EN) ETCHANT SOLUTION FOR COPPER CONDUCTOR OF TFT ARRAY SUBSTRATE
(FR) SOLUTION DE GRAVURE POUR CONDUCTEUR EN CUIVRE DE SUBSTRAT DE RÉSEAU TFT
(ZH) TFT阵列基板铜导线的蚀刻液
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an etchant solution for a copper conductor of a TFT array substrate, comprising: a primary oxidant, a secondary oxidant, a chelating agent, an inhibitor, and an additive; the primary oxidant is hydrogen peroxide; the secondary oxidant is phosphoric acid, sulfuric acid, and nitric acid; the chelating agent is an amino compound; the inhibitor is an amino azole compound or a carboxylic acid compound; and the additive is an amine compound containing an amino nitrogen atom and a carboxyl oxygen coordination atom. The etchant solution improves the feature of a short processing window in an etchant solution for a copper conductor, reduces the difficulty of engineering control, increases stability in engineering production and output yield; improves the shelf-time stability, with the etch stability being also maintained during the later shelf-time period; increases the use life (≥5000 ppm), with no significant narrowing of the process window occurring in the later period of the manufacturing; and ensures the performance being relatively stable.
(FR)La présente invention concerne une solution de gravure pour conducteur en cuivre d'un substrat de réseau TFT, comprenant : un oxydant primaire, un oxydant secondaire, un agent chélatant, un inhibiteur, et un additif; l'oxydant primaire est le peroxyde d'hydrogène; l'oxydant secondaire est l'acide phosphorique, l'acide sulfurique et l'acide nitrique; l'agent chélatant est un composé aminé; l'inhibiteur est un composé aminoazole ou un composé acide carboxylique; et l'additif est un composé aminé contenant un atome d'azote amino et un atome de coordination oxygène d'un carboxyle. La solution de gravure améliore la caractéristique d'une étroite fenêtre de traitement dans une solution de gravure pour un conducteur en cuivre, réduit la difficulté du contrôle de l'ingénierie, améliore la stabilité de la production d'ingénierie et le rendement de sortie; améliore la stabilité de conservation, la stabilité de la gravure étant aussi maintenue durant la dernière période de conservation; améliore la durée de vie utile (≥ 5 000 ppm), sans que survienne un rétrécissement significatif de la fenêtre de traitement dans la dernière période de fabrication; et assure une relative stabilité de la performance.
(ZH)提供了一种TFT阵列基板铜导线的蚀刻液,包括:主氧化剂、次氧化剂、螯合剂、抑制剂、及添加剂,该主氧化剂为过氧化氢,该次氧化剂为磷酸、硫酸、及硝酸;该螯合剂为氨基类化合物;该抑制剂为氨基唑类化合物和羧酸类化合物;该添加剂为含氨氮及羧氧配位原子的胺类化合物。所述蚀刻液改善铜导线蚀刻液工艺窗口较短的特点,降低了工程控制难度,增加工程生产的稳定性及提高产出良率;提高shelf-time稳定性,shelf-time储存后期时也能保持蚀刻性能的稳定性;提高使用寿命(≥5000ppm),且在制程后期process window未出现明显变窄,且性能等仍较为稳定。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)