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1. (WO2014000046) GUIDE D'ONDE MÉTAL-ISOLANT-MÉTAL POUR DES NANO-LASERS ET AMPLIFICATEURS OPTIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/000046    N° de la demande internationale :    PCT/AU2013/000703
Date de publication : 03.01.2014 Date de dépôt international : 28.06.2013
CIB :
H01S 5/323 (2006.01), H01S 5/22 (2006.01), H01S 5/028 (2006.01), H01S 5/50 (2006.01)
Déposants : HILL, Martin Terence [AU/AU]; (AU)
Inventeurs : HILL, Martin Terence; (AU)
Mandataire : JANET STEAD & ASSOCIATES PATENT & TRADE MARK ATTORNEYS; P.O. Box 1649 West Perth, W.A. 6872 (AU)
Données relatives à la priorité :
2012902797 29.06.2012 AU
Titre (EN) METAL-INSULATOR-METAL WAVEGUIDE FOR NANO-LASERS AND OPTICAL AMPLIFIERS
(FR) GUIDE D'ONDE MÉTAL-ISOLANT-MÉTAL POUR DES NANO-LASERS ET AMPLIFICATEURS OPTIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A metal-insulator-metal (MIM) waveguide structure (10) for nano-lasers or optical amplifiers is described. The structure (20) comprises a substrate (12) on which are supported first and second metal layers (14) and (16) which form electrical contacts for the waveguide. A narrow ridge of low-band gap semiconductor core (18), which forms the optical gain material, is sandwiched between the two metal layers (14) and (16). The semiconductor core (18) is surrounded on both sides by a low refractive index material (19) which is also sandwiched between the two metal layers (14) and (16). First and second layers of thin higher-band gap doped semiconductor material (15) and (17) are provided between the respective first and second metal layers (14) and (16) and the low-band gap semiconductor core (18) and the low refractive index material (19). The optical mode that propagates down this waveguide is localised in the centre of the waveguide structure where the narrow ridge of low-band gap semiconductor core (18) is.
(FR)La présente invention concerne une structure (10) de guide d'onde métal-isolant-métal (MIM) pour des nano-lasers ou des amplificateurs optiques. La structure (20) comprend un substrat (12), sur lequel sont portées des première et seconde couches métalliques (14 et 16), qui forment des contacts électriques pour le guide d'onde. Une arête étroite d'un noyau (18) à semi-conducteurs, à faible bande interdite, qui forme le matériau de gain optique, est intercalée entre les deux couches métalliques (14 et 16). Le noyau (18) à semi-conducteurs est entouré, des deux côtés, par un matériau (19) à faible indice de réfraction, qui est également intercalé entre les deux couches métalliques (14 et 16). Des première et seconde couches de matériau (15 et 17) à semi-conducteurs dopé, à bande interdite supérieure, sont prévues entre les première et seconde couches métalliques (14 et 16) respectives et le noyau (18) à semi-conducteurs, à faible bande interdite et le matériau (19) à faible indice de réfraction. Le mode optique, qui propage ce guide d'onde vers le bas, est localisé au centre de la structure de guide d'onde, où se trouve l'arête étroite du noyau (18) à semi-conducteurs à faible bande interdite.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)