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1. (WO2013192559) FABRICATION DE DISPOSITIFS PHOTOVOLTAÏQUES MULTIJONCTION À BASE DE SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/192559    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/047127
Date de publication : 27.12.2013 Date de dépôt international : 21.06.2013
CIB :
H01L 31/0725 (2012.01), H01L 31/042 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : EPIWORKS, INC. [US/US]; 1606 Rion Drive Champaign, Illinois 61822 (US)
Inventeurs : AHMARI, David; (US).
LIM, Swee; (US).
RAI, Shiva; (US).
FORBES, David; (US)
Mandataire : SPORTEL, Nathan P.; THOMPSON COBURN LLP One US Bank Plaza St. Louis, MO 63101 (US)
Données relatives à la priorité :
61/663,374 22.06.2012 US
61/718,708 26.10.2012 US
Titre (EN) MANUFACTURING SEMICONDUCTOR-BASED MULTI-JUNCTION PHOTOVOLTAIC DEVICES
(FR) FABRICATION DE DISPOSITIFS PHOTOVOLTAÏQUES MULTIJONCTION À BASE DE SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)Manufacture of multi-junction solar cells, and devices thereof, are disclosed. The architectures are also adapted to provide for a more uniform and consistent fabrication of the solar cell structures, leading to improved yields and lower costs. Certain solar cells may further include one or more compositional gradients of one or more semiconductor elements in one or more semiconductor layers, resulting in a more optimal solar cell device.
(FR)L'invention concerne la fabrication de cellules photovoltaïques multijonction, et les dispositifs correspondants. Les architectures sont également adaptées pour permettre une fabrication plus uniforme et cohérente des structures de cellules photovoltaïques, d'où de meilleurs rendements et de moindres coûts. Certaines cellules photovoltaïques peuvent également admettre, pour un ou plusieurs éléments semi-conducteurs d'une ou de plusieurs couches semi-conductrices, un ou plusieurs gradients des compositions, ce qui permet la réalisation d'un dispositif optimal de cellules photovoltaïques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)