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1. (WO2013192539) PUCES DE FORCE MEMS DE NIVEAU DE TRANCHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/192539    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/047090
Date de publication : 27.12.2013 Date de dépôt international : 21.06.2013
CIB :
G01L 1/04 (2006.01), G01L 1/18 (2006.01), G01L 5/00 (2006.01), G01L 5/16 (2006.01)
Déposants : NEXTINPUT, INC. [US/US]; 75 5th Street NW Suite 206 Atlanta, GA 30308 (US)
Inventeurs : BROSH, Amnon; (US)
Mandataire : ANDERSON, Bjorn G.; Meunier Carlin & Curfman, LLC Suite 500 817 W. Peachtree Street NW Atlanta, Georgia 30308 (US)
Données relatives à la priorité :
61/690,161 21.06.2012 US
Titre (EN) WAFER LEVEL MEMS FORCE DIES
(FR) PUCES DE FORCE MEMS DE NIVEAU DE TRANCHE
Abrégé : front page image
(EN)A composite wafer level MEMS force dies including a spacer coupled to a sensor is described herein. The sensor (12) includes at least one flexible sensing element (14), such as a beam or diaphragm, which have one or more sensor elements formed thereon. Bonding pads connected to the sensor elements are placed on the outer periphery of the sensor. The spacer (11), which protects the flexible sensing element (14) and the wire bonding pads, is bonded to the sensor. For the beam version, the bond is implemented at the outer edges of the die. For the diaphragm version, the bond is implemented in the center of the die. An interior gap (25) between the spacer and the sensor allows the flexible sensing element to deflect. The gap (25) can also be used to limit the amount of deflection of the flexible sensing element in order to provide overload protection.
(FR)La présente invention porte sur des puces de force de système microélectromécanique (MEMS) de niveau de tranche composites comprenant une pièce intercalaire couplée à un capteur. Le capteur (12) comprend au moins un élément de détection flexible (14), tel qu'une tige ou une membrane, qui ont un ou plusieurs éléments de capteur formés sur ceux-ci. Des plages de liaison reliées aux éléments de capteur sont placées sur la périphérie extérieure du capteur. La pièce intercalaire (11), qui protège l'élément de détection flexible (14) et les plages de liaison filaires, est lié au capteur. Pour la version à tige, la liaison est mise en œuvre au niveau des bords extérieurs de la puce. Pour la version à membrane, la liaison est mise en œuvre au centre de la puce. Un intervalle intérieur (25) entre la pièce intercalaire et le capteur permet à l'élément de détection flexible de dévier. L'intervalle (25) peut également être utilisé pour limiter la quantité de déviation de l'élément de détection flexible afin de fournir une protection contre une surcharge.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)