WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2013192295) DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE AVEC TRAITEMENT THERMIQUE RAPIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/192295    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/046536
Date de publication : 27.12.2013 Date de dépôt international : 19.06.2013
CIB :
C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/448 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
YE, Zhiyuan [US/US]; (US) (US only)
Inventeurs : YE, Zhiyuan; (US)
Mandataire : BLANKMAN, Jeffrey I.; Servilla Whitney LLC 33 Wood Avenue South Second Floor, Suite 210 Iselin, New Jersey 08830 (US)
Données relatives à la priorité :
61/662,335 20.06.2012 US
13/803,020 14.03.2013 US
Titre (EN) ATOMIC LAYER DEPOSITION WITH RAPID THERMAL TREATMENT
(FR) DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE AVEC TRAITEMENT THERMIQUE RAPIDE
Abrégé : front page image
(EN)Provided are methods and apparatus for atomic layer deposition of a film with rapid thermal treatment. Methods described can be used to convert an amorphous film to form an epitaxial film with rapid thermal treatment or to selectively deposit a film on a portion of a substrate. A thermal element in the apparatus is capable of globally or locally changing the temperature of the amorphous film or a portion of the amorphous film by temporarily rapidly raising the temperature of the amorphous film converting the film to an epitaxial film.
(FR)L'invention concerne des procédés et un appareil de dépôts de couche atomique d'un film, avec un traitement thermique rapide. Les procédés décrits peuvent être utilisés pour convertir un film amorphe, afin de former un film épitaxial avec un traitement thermique rapide ou de déposer sélectivement un film sur une partie d'un substrat. Un élément thermique dans l'appareil est capable de modifier globalement ou localement la température du film amorphe ou d'une partie du film amorphe par élévation temporaire rapide de la température du film amorphe, convertissant ainsi le film en un film épitaxial.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)