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1. (WO2013192194) ENSEMBLE MICROÉLECTRONIQUE TOLÉRANT UN MAUVAIS PLACEMENT DES ÉLÉMENTS MICROÉLECTRONIQUES À L'INTÉRIEUR DE CE DERNIER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/192194    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/046345
Date de publication : 27.12.2013 Date de dépôt international : 18.06.2013
CIB :
H01L 25/065 (2006.01), H01L 23/538 (2006.01), H01L 23/00 (2006.01)
Déposants : INVENSAS CORPORATION [US/US]; 2702 Orchard Parkway San Jose, CA 95134 (US)
Inventeurs : MOHAMMED, Ilyas; (US).
HABA, Belgacem; (US)
Mandataire : ZONERAICH, Davy; Lerner, David, Littenberg, Krumholz & Mentlik, LLP 600 South Avenue West Westfield, New Jersey 07090 (US)
Données relatives à la priorité :
13/525,514 18.06.2012 US
Titre (EN) MICROELECTRONIC ASSEMBLY TOLERANT TO MISPLACEMENT OF MICROELECTRONIC ELEMENTS THEREIN
(FR) ENSEMBLE MICROÉLECTRONIQUE TOLÉRANT UN MAUVAIS PLACEMENT DES ÉLÉMENTS MICROÉLECTRONIQUES À L'INTÉRIEUR DE CE DERNIER
Abrégé : front page image
(EN)A microelectronic assembly (10) tolerant to misplacement of microelectronic elements (12) therein may include a molded structure (40) containing a plurality of microelectronic elements (12). Each microelectronic element has element contacts (28) having first and second dimensions in respective first and second directions that are transverse to each other, where the first dimension is at least twice the second dimension. In addition, the assembly may include a conductive redistribution layer (50) including conductive vias (70) extending through a dielectric layer (42) to the element contacts (28) of the respective microelectronic elements (12), where the conductive vias (70) have a third dimension in a third direction and a fourth dimension in a fourth direction, and where the fourth direction is transverse to the third and first directions and the fourth dimension is greater than the third dimension.
(FR)La présente invention se rapporte à un ensemble microélectronique (10) tolérant un mauvais placement des éléments microélectroniques (12) à l'intérieur de ce dernier, ledit ensemble microélectronique pouvant comprendre une structure moulée (40) qui contient une pluralité d'éléments microélectroniques (12). Chaque élément microélectronique comprend des contacts d'élément (28) qui présentent des première et seconde dimensions dans les première et deuxième directions respectives qui sont transversales l'une par rapport à l'autre, la première dimension faisant au moins deux fois la deuxième dimension. De plus, l'ensemble peut comprendre des trous d'interconnexion conducteurs (70) qui s'étendent à travers une couche diélectrique (42) jusqu'aux contacts d'élément (28) des éléments microélectroniques respectifs (12), les trous d'interconnexion conducteurs (70) présentant une troisième dimension dans une troisième direction et une quatrième dimension dans une quatrième direction et la quatrième direction étant transversale aux troisième et première directions et la quatrième dimension étant plus importante que la troisième direction.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)