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1. (WO2013192018) RÉDUCTION DE VIDE À L'ÉCHELLE NANOMÉTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/192018    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/045747
Date de publication : 27.12.2013 Date de dépôt international : 13.06.2013
CIB :
B29C 59/02 (2006.01), B82B 3/00 (2006.01)
Déposants : SEAGATE TECHNOLOGY LLC [US/US]; 10200 S. De Anza Blvd Cupertino, California 95014 (US)
Inventeurs : HWU, Justin Jia-Jen; (US).
GAUZNER, Gennady; (US).
GREENBERG, Thomas Larson; (US)
Mandataire : TISDALE, Eric J.; Tabarrok & Zahrt LLP Suite 1250 60 South Market Street San Jose, California 95113 (US)
Données relatives à la priorité :
13/527,584 19.06.2012 US
Titre (EN) NANO-SCALE VOID REDUCTION
(FR) RÉDUCTION DE VIDE À L'ÉCHELLE NANOMÉTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Resist imprinting void reduction method may include sealing a chamber. The chamber may be filled with an ambient inert gas, wherein the inert gas a solubility in a resist layer on a substrate greater than Helium. The method may also include establishing a pressure within the chamber sufficient to cause absorption of the ambient inert gas by the resist layer, and sufficient to suppress evaporation of the resist layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de réduction de vide d'impression de résist qui peut comprendre le scellement d'une chambre. La chambre peut être remplie par un gaz inerte ambiant, le gaz inerte ayant une solubilité dans une couche de résist sur un substrat qui est plus grande que celle de l'hélium. Le procédé peut également comprendre l'établissement d'une pression à l'intérieur de la chambre suffisante pour provoquer l'absorption du gaz inerte ambiant par la couche de résist, et suffisante pour supprimer l'évaporation de la couche de résist.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)