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1. (WO2013191618) DÉFINITION PRÉCISE D'ÉLECTRODES DE TRANSDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/191618    N° de la demande internationale :    PCT/SE2013/050678
Date de publication : 27.12.2013 Date de dépôt international : 12.06.2013
CIB :
B81B 7/02 (2006.01), B81B 5/00 (2006.01), G02B 26/08 (2006.01), H01L 21/30 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
Déposants : SILEX MICROSYSTEMS AB [SE/SE]; P O Box 595 S-175 26 Järfälla (SE)
Inventeurs : ÅGREN, Peter; (SE)
Mandataire : BRANN AB; P O Box 12246 S-102 26 Stockholm (SE)
Données relatives à la priorité :
1250672-1 21.06.2012 SE
Titre (EN) PRECISE DEFINITION OF TRANSDUCER ELECTRODES
(FR) DÉFINITION PRÉCISE D'ÉLECTRODES DE TRANSDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a semiconductor device, comprising a semiconductor substrate (10) having a first (12a) and a second (12b) side. There is provided at least one via (15) extending through said substrate (10) having first (16a) and second (16b) end surfaces, said first end surface (16a) constituting an transducer electrode for interacting with a movable element (14) arranged at the first side (12a) of the substrate (10). A shield (17) is provided on and covers at least part of the first side (12a) of the substrate (10), the shield/mask (17) comprising a conductive layer (19a) and an insulating material layer (19b) provided between the substrate (10) and the conductive layer (19a). The mask has an opening (18) exposing only a part of the first surface (16a) of the via. Preferably the opening (18) in the mask is precisely aligned with the movable element, and the area of the opening is accurately defined.
(FR)La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur, comprenant un substrat semi-conducteur (10) ayant un premier côté (12a) et un second côté (12b). Le dispositif comporte au moins une interconnexion (15) s'étendant à travers ledit substrat (10) ayant une première surface d'extrémité (16a) et une seconde surface d'extrémité (16b), ladite première surface d'extrémité (16a) constituant une électrode de transducteur permettant d'interagir avec un élément mobile (14) agencé du premier côté (12a) du substrat (10). Un blindage (17) est disposé sur au moins une partie qu'il recouvre du premier côté (12a) du substrat (10), le blindage/masque (17) comprenant une couche conductrice (19a) et une couche de matériau isolant (19b) disposée entre le substrat (10) et la couche conductrice (19a). Le masque a une ouverture (18) ne découvrant qu'une partie de la première surface (16a) de l'interconnexion. De préférence, l'ouverture (18) dans le masque est alignée précisément avec l'élément mobile, et l'aire de l'ouverture est définie avec précision.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)