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1. (WO2013191471) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE COUCHES ATOMIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/191471    N° de la demande internationale :    PCT/KR2013/005416
Date de publication : 27.12.2013 Date de dépôt international : 19.06.2013
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/448 (2006.01)
Déposants : MTS NANOTECH INC. [KR/KR]; Rm. 514, 111, Central town-ro, Yeongtong-gu Suwon-si, Gyeonggi-do 443-270 (KR)
Inventeurs : JEONG, In Kwon; (KR)
Mandataire : Y.P.LEE, MOCK & PARTNERS; 12F Daelim Acrotel, 13 Eonju-ro 30-gil Gangnam-gu, Seoul 135-971 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2012-0065954 20.06.2012 KR
10-2012-0085499 06.08.2012 KR
10-2012-0134150 26.11.2012 KR
Titre (EN) ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE COUCHES ATOMIQUES
(KO) 원자층 증착 장치 및 방법
Abrégé : front page image
(EN)An atomic layer deposition apparatus comprises a substrate transfer apparatus, a shower head including at least one injection unit, and a shower head-reciprocating apparatus. While a substrate is being transferred, the shower head makes reciprocating movements and injects a source precursor and a reactant precursor onto the substrate. The number of atomic layers deposited onto the substrate can be adjusted by controlling the transfer speed of the substrate and the speed of reciprocating movements of the shower head. The present invention provides an atomic layer deposition apparatus and a method, wherein the atomic layer deposition apparatus is small and has a high throughput. The present invention also provides an atomic layer deposition apparatus and a method, which enable the deposition of an atomic layer onto a substrate composed of a gas-transmissible material.
(FR)La présente invention se rapporte à un appareil de dépôt de couches atomiques qui comprend un appareil de transfert de substrat, une pomme de douche qui comprend au moins une unité d'injection, et un appareil provoquant le mouvement de va-et-vient de la pomme de douche. Pendant le transfert d'un substrat, la pomme de douche effectue des mouvements de va-et-vient et injecte un précurseur source et un précurseur de réactif sur le substrat. Le nombre de couches atomiques déposées sur le substrat peut être ajusté par régulation de la vitesse de transfert du substrat et de la vitesse des mouvements de va-et-vient de la pomme de douche. La présente invention se rapporte à un appareil de dépôt de couches atomiques et à un procédé, l'appareil de dépôt de couches atomiques étant petit et présentant un rendement élevé. La présente invention se rapporte également à un appareil de dépôt de couches atomiques et à un procédé qui permettent le dépôt d'une couche atomique sur un substrat composé d'un matériau transmettant un gaz.
(KO)원자층 증착 장치는 기판 이송 장치, 적어도 하나의 분사 유닛을 구비하는 샤워 헤드 및 샤워 헤드 왕복 이동 장치를 구비한다. 기판이 이송되는 동안에 샤워 헤드는 왕복 이동하면서 원료 전구체와 반응 전구체를 기판 상으로 분사한다. 기판의 이송 속도 및 샤워 헤드의 왕복 이동 속도를 조절함으로써 기판 상에 증착되는 원자층의 수를 조절할 수 있다. 본 발명에서 제공하는 원자층 증착 장비 크기가 작으면서도 쓰루풋이 높은 원자층 증착 장치 및 방법을 제공한다. 또한, 기체를 투과시키는 재질로 구성된 기판에 원자층을 증착할 수 있는 원자층 증착 장치 및 방법을 제공한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)