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1. (WO2013191415) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/191415    N° de la demande internationale :    PCT/KR2013/005263
Date de publication : 27.12.2013 Date de dépôt international : 14.06.2013
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), H05H 1/30 (2006.01)
Déposants : EUGENE TECHNOLOGY CO., LTD. [KR/KR]; 42 Chugye-ro, Yangji-myeon Cheoin-gu, Yongin-si Gyeonggi-do 449-824 (KR)
Inventeurs : YANG, Il-Kwang; (KR).
SONG, Byoung-Gyu; (KR).
KIM, Kyong-Hun; (KR).
KIM, Yong-Ki; (KR).
SHIN, Yang-Sik; (KR)
Mandataire : JEONG, Seong-Jin; (2nd Floor, ACE HIGH-END TOWER 3, Gasan-Dong) Rm. 204, 145 Gasan Digital 1-ro Gumchun-gu Seoul 153-787 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2012-0066080 20.06.2012 KR
Titre (EN) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(KO) 기판 처리 장치
Abrégé : front page image
(EN)A substrate processing apparatus, according to one embodiment of the present invention, comprises: a chamber, the upper part of which is open and which has a passage, formed in one side thereof, through which a substrate moves in and out; a chamber cover which closes the upper part of the chamber to provide an inner space where the processing of the substrate is carried out and which has a gas supply hole formed to penetrate the ceiling wall; a top antenna which is installed at the top center of the chamber cover and which creates an electric field in the center of the inner space, while creating a plasma from a source gas provided to the inner space; a side antenna which is installed to cover the side part of the chamber cover and which creates an electric field in the periphery of the inner space, while creating a plasma from a source gas provided to the inner space; and a gas supply pipe which is connected to the gas supply hole and which provides the source gas to the inner space, wherein the gas supply hole is disposed on the outer part of the top antenna.
(FR)La présente invention se rapporte à un appareil de traitement de substrat qui comprend selon un mode de réalisation : une chambre dont la partie supérieure est ouverte et qui comprend un passage formé sur un côté de cette dernière, à travers lequel le substrat entre et sort ; un couvercle de chambre qui ferme la partie supérieure de la chambre afin d'offrir un espace interne dans lequel le traitement du substrat est effectué et qui comporte un trou d'alimentation en gaz formé de manière à pénétrer dans la paroi de plafond ; une antenne supérieure qui est installée au niveau du centre supérieur du couvercle de chambre et qui crée un champ électrique au centre de l'espace interne tout en créant un plasma à partir d'un gaz source transmis à l'espace interne ; une antenne latérale qui est installée pour recouvrir la partie latérale du couvercle de chambre et qui crée un champ électrique à la périphérie de l'espace interne tout en créant un plasma à partir d'un gaz source transmis à l'espace interne ; et un tuyau d'alimentation en gaz qui est raccordé au trou d'alimentation en gaz et qui transmet le gaz source à l'espace interne, le trou d'alimentation en gaz étant formé sur la partie externe de l'antenne supérieure.
(KO)본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는, 상부가 개방되며, 일측에 기판이 출입하는 통로가 형성되는 챔버; 상기 챔버의 상부를 폐쇄하여 상기 기판에 대한 공정이 이루어지는 내부공간을 제공하며, 천정벽을 관통하도록 형성된 가스공급홀을 가지는 챔버덮개; 상기 챔버덮개의 상부 중앙에 설치되어 상기 내부공간의 중앙부에 전계를 형성하며, 상기 내부공간에 공급된 소스가스로부터 플라즈마를 생성하는 상부안테나; 상기 챔버덮개의 측부를 감싸도록 설치되어 상기 내부공간의 가장자리부에 전계를 형성하며, 상기 내부공간에 공급된 소스가스로부터 플라즈마를 생성하는 측부안테나; 그리고 상기 가스공급홀과 연결되어 상기 내부공간에 상기 소스가스를 공급하는 가스공급관을 포함하며, 상기 가스공급홀은 상기 상부안테나의 외측에 배치된다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)