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1. (WO2013191224) PROCÉDÉ DE SÉCHAGE, APPAREIL DE TRAITEMENT AU PLASMA ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/191224    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/066892
Date de publication : 27.12.2013 Date de dépôt international : 19.06.2013
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventeurs : KAWASHIMA, Fumiya; (JP).
KAWABATA, Keiji; (KR).
KONDO, Takashi; (JP).
MITSUHASHI, Koji; (JP).
KITAJIMA, Tsuguo; (JP)
Mandataire : SAKAI, Hiroaki; Sakai International Patent Office, Kasumigaseki Building, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006020 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-138916 20.06.2012 JP
61/664,861 27.06.2012 US
Titre (EN) SEASONING METHOD, PLASMA PROCESSING APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE SÉCHAGE, APPAREIL DE TRAITEMENT AU PLASMA ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) シーズニング方法、プラズマ処理装置及び製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided in the present embodiment is a seasoning method of a plasma processing apparatus comprising an upper electrode with a thermal-sprayed film of an oxide of a 3A group element such as Y2O3 provided facing plasma processing space. In this seasoning method, firstly, a first deposition process is executed wherein CF-based gas is supplied to the plasma processing space and the CF-based gas is made into plasma. By this process, fluorine is deposited on the surface of the upper electrode. Then, in this seasoning method, a reduction process is executed, after the first deposition process, wherein hydrogen-containing gas is supplied to the plasma processing space and the hydrogen-containing gas is made into plasma. By this process, the Y-O bond at the upper electrode is reduced by H and the Y-O bond is cut, and Y and F is recombined, thereby facilitating fluorination reaction on the surface of the upper electrode and shortening seasoning time.
(FR)Le mode de réalisation de la présente invention a trait à un procédé de séchage d'un appareil de traitement au plasma comprenant une électrode supérieure dotée d'un film ayant subi une projection thermique d'un oxyde d'un élément de groupe 3A tel qu'Y2O3 qui est fourni de manière à faire face à un espace de traitement au plasma. Dans un premier temps, dans ce procédé de séchage, un premier processus de dépôt est exécuté au cours duquel un gaz à base de CF est fourni à l'espace de traitement au plasma et le gaz à base de CF est transformé en plasma. Grâce à ce processus, du fluor est déposé sur la surface de l'électrode supérieure. Par la suite, dans ce procédé de séchage, un processus de réduction est exécuté, après le premier processus de dépôt, au cours duquel un gaz contenant de l'hydrogène est fourni à l'espace de traitement au plasma et le gaz contenant de l'hydrogène est transformé en plasma. Grâce à ce processus, la liaison Y-O au niveau de l'électrode supérieure est réduite par H et la liaison Y-O est coupée, et Y ainsi que F sont recombinés, ce qui permet de la sorte de faciliter la réaction de fluoration sur la surface de l'électrode supérieure et de réduire le temps de séchage.
(JA) 本実施形態のシーズニング方法は、Y2O3等の3A族元素の酸化物溶射皮膜をプラズマ処理空間に対向させて設けられた上部電極を有するプラズマ処理装置におけるシーズニング方法である。シーズニング方法は、まず、CF系ガスをプラズマ処理空間に供給してCF系ガスをプラズマ化させる第1のデポ工程を実行する。これにより、上部電極の表面にフッ素をデポさせる。次に、シーズニング方法は、第1のデポ工程の後、水素含有ガスをプラズマ処理空間に供給して水素含有ガスをプラズマ化させる還元工程を実行する。これにより、上部電極におけるY-O結合をHで還元してY-O結合を切り、YとFを再結合させることにより、上部電極の表面におけるフッ化反応を促進させ、シーズニング時間の短縮化を図る。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)