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1. (WO2013191211) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN COMPOSÉ DE MAYÉNITE CONDUCTEUR À HAUTE DENSITÉ ÉLECTRONIQUE, ET CIBLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/191211    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/066851
Date de publication : 27.12.2013 Date de dépôt international : 19.06.2013
CIB :
C01F 7/16 (2006.01), C01F 7/54 (2006.01), C01F 7/56 (2006.01), C04B 35/44 (2006.01), C04B 41/87 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), H01B 1/08 (2006.01)
Déposants : ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 5-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008405 (JP)
Inventeurs : ITO, Kazuhiro; (JP).
WATANABE, Satoru; (JP).
WATANABE, Toshinari; (JP).
MIYAKAWA, Naomichi; (JP)
Mandataire : ITOH, Tadashige; 16th Floor, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Seimei Building), 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-139199 20.06.2012 JP
2012-217344 28.09.2012 JP
2013-071162 29.03.2013 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING CONDUCTIVE MAYENITE COMPOUND HAVING HIGH ELECTRON DENSITY, AND TARGET
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN COMPOSÉ DE MAYÉNITE CONDUCTEUR À HAUTE DENSITÉ ÉLECTRONIQUE, ET CIBLE
(JA) 高電子密度の導電性マイエナイト化合物の製造方法およびターゲット
Abrégé : front page image
(EN)A method for producing a conductive mayenite compound having an electron density of 5 × 1020 cm-3 or more, which is characterized by comprising: (1) a step for preparing an object to be processed that contains a mayenite compound or a precursor of the mayenite compound; and (2) a step wherein an aluminum foil is disposed on at least a part of the surface of the object to be processed and the object to be processed is maintained at a temperature within the range of 1,080-1,450°C in a low oxygen partial pressure atmosphere.
(FR)Procédé de production d'un composé de mayénite conducteur ayant une densité électronique de 5 × 1020 cm-3 ou plus, qui est caractérisé en ce qu'il comprend : (1) une étape consistant à préparer un objet à traiter qui contient un composé de mayénite ou un précurseur de composé de mayénite ; et (2) une étape consistant à placer une feuille d'aluminium sur au moins une partie de la surface de l'objet à traiter et à maintenir l'objet à traiter à une température dans la plage de 1080 à 1450°C dans une atmosphère à basse pression partielle d'oxygène.
(JA) 電子密度が5×1020cm-3以上の導電性マイエナイト化合物の製造方法であって、(1)マイエナイト化合物またはマイエナイト化合物の前駆体を含む被処理体を調製する工程と、(2)前記被処理体の表面の少なくとも一部にアルミニウム箔を配置し、前記被処理体を低酸素分圧の雰囲気下、1080℃~1450℃の範囲の温度に保持する工程と、を含むことを特徴とする製造方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)