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1. (WO2013191122) DISPOSITIF À ONDE ÉLASTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/191122    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/066554
Date de publication : 27.12.2013 Date de dépôt international : 17.06.2013
CIB :
H03H 9/145 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventeurs : IWAMOTO, Hideki; (JP).
KIDO, Syunsuke; (JP)
Mandataire : MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-140396 22.06.2012 JP
Titre (EN) ELASTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDE ÉLASTIQUE
(JA) 弾性波装置
Abrégé : front page image
(EN)An elastic wave device that has good characteristics and is capable of suppressing a response caused by a higher-order mode is provided. This elastic wave device (1) comprises: a high-acoustic-velocity film (3) that is laminated on a support substrate (2), said high-acoustic-velocity film having a higher propagating bulk acoustic wave velocity than the acoustic velocity of an elastic wave propagating through a piezoelectric film (5); a low-acoustic-velocity film (4) that is laminated on the high-acoustic-velocity film (3), said low-acoustic-velocity film having a lower propagating bulk acoustic wave velocity than the acoustic velocity of a bulk wave propagating through the piezoelectric film (5); the piezoelectric film (5) that is laminated on the low-acoustic-velocity film (4); and IDT electrodes (6) that are laminated on one surface of the piezoelectric film (5). In the structural section above the high-acoustic-velocity film, the degree of energy concentration in a main mode, that is, an elastic wave to be utilized, is set to 99.9% or higher, and the degree of energy concentration in the higher-order mode, which is spurious, is set to 99.5% or lower.
(FR)La présente invention porte sur un dispositif à onde élastique qui présente de bonnes caractéristiques et est apte à supprimer une réponse causée par un mode d'ordre supérieur. Le dispositif à onde élastique (1) de la présente invention comprend : un film de vitesse acoustique élevée (3) qui est stratifié sur un substrat de support (2), ledit film de vitesse acoustique élevée ayant une vitesse d'onde acoustique à propagation en volume supérieure à la vitesse acoustique d'une onde acoustique se propageant à travers un film piézoélectrique (5) ; un film de vitesse acoustique faible (4) qui est stratifié sur le film de vitesse acoustique élevée (3), ledit film de vitesse acoustique faible ayant une vitesse d'onde acoustique à propagation en volume inférieure à la vitesse acoustique d'une onde de volume se propageant à travers le film piézoélectrique (5) ; le film piézoélectrique (5) qui est stratifié sur le film de vitesse acoustique faible (4) ; et des électrodes IDT (6) qui sont stratifiées sur une surface du film piézoélectrique (5). Dans la section structurale au-dessus du film de vitesse acoustique élevée, le degré de concentration d'énergie selon un mode principal, à savoir, une onde élastique à utiliser, est réglé à 99,9 % ou plus, et le degré de concentration d'énergie selon le mode d'ordre supérieur, qui est simulé est réglé à 99,5 % ou moins.
(JA) 特性が良好であり、かつ高次モードによる応答を抑制し得る弾性波装置を提供する。 支持基板2上に、圧電膜5を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速膜3が積層されており、高音速膜3上に、圧電膜5を伝搬するバルク波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜4が積層されており、低音速膜4上に上記圧電膜5が積層されており、圧電膜5の一方面にIDT電極6が積層されており、高音速膜より上方の構造部分において、利用する弾性波であるメインモードのエネルギー集中度が99.9%以上であり、かつ、スプリアスとなる高次モードのエネルギー集中度が99.5%以下とされる、弾性波装置1。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)