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1. (WO2013191033) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/191033    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/066056
Date de publication : 27.12.2013 Date de dépôt international : 11.06.2013
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP)
Inventeurs : UCHIDA Seiichi; .
MIYAMOTO Tadayoshi; .
OGAWA Yasuyuki; .
TAKAMARU Yutaka; .
ITO Kazuatsu; .
MATSUO Takuya; .
MORI Shigeyasu;
Mandataire : OKUDA Seiji; OKUDA & ASSOCIATES, 10th Floor, Osaka Securities Exchange Bldg., 8-16, Kitahama 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-137699 19.06.2012 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This TFT substrate (100A) comprises: a gate connection layer (3a) formed of the same electroconductive film as a gate electrode (3), or a transparent connection layer (2a) formed of the same electroconductive film as a first transparent electrode (2), the gate connection layer (3a) or the transparent connection layer (2a) being formed on a substrate (1); an oxide layer (5z) formed on an insulating layer (4) and including at least one conductor region (5a); and a source connection layer (6a) formed on the oxide layer (5z) and formed of the same electroconductive film as a source electrode (6s). The source connection layer (6a) is electrically connected to the gate connection layer (3a) or the transparent connection layer (2a) via the at least one conductor region (5a).
(FR)L'invention concerne un substrat TFT (100A) qui comprend : une couche de connexion de grille (3a) formée du même film électroconducteur qu'une électrode de grille (3), ou une couche de connexion transparente (2a) formée du même film électroconducteur qu'une première électrode transparente (2), la couche de connexion de grille (3a) ou la couche de connexion transparente (2a) étant formée sur un substrat (1) ; une couche d'oxyde (5z) formée sur une couche isolante (4) et comprenant au moins une région de conducteur (5a) ; et une couche de connexion de source (6a) formée sur la couche d'oxyde (5z) et formée du même film électroconducteur qu'une électrode de source (6s). La couche de connexion de source (6a) est connectée électriquement à la couche de connexion de grille (3a) ou à la couche de connexion transparente (2a) par l'intermédiaire de ladite au moins une région de conducteur (5a).
(JA) TFT基板(100A)は、基板(1)の上に形成された、ゲート電極(3)と同一の導電膜から形成されたゲート接続層(3a)または第1透明電極(2)と同一の導電膜から形成された透明接続層(2a)と、絶縁層(4)の上に形成された、少なくとも1つの導体領域(5a)を含む酸化物層(5z)と、酸化物層(5z)の上に形成された、ソース電極(6s)と同一の導電膜から形成されたソース接続層(6a)とをさらに有し、ソース接続層(6a)は、少なくとも1つの導体領域(5a)を介してゲート接続層(3a)または透明接続層(2a)と電気的に接続されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)