WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2013190981) RÉCIPIENT ÉTANCHE, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET MODULE DE CELLULE SOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/190981    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/065311
Date de publication : 27.12.2013 Date de dépôt international : 03.06.2013
CIB :
H01L 31/042 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 23/02 (2006.01), H01L 23/10 (2006.01)
Déposants : HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP)
Inventeurs : FUJIEDA Tadashi; (JP).
NAITO Takashi; (JP).
AOYAGI Takuya; (JP).
SAWAI Yuichi; (JP)
Mandataire : INOUE Manabu; c/o HITACHI, LTD., 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008220 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-140511 22.06.2012 JP
Titre (EN) SEALED CONTAINER, ELECTRONIC DEVICE, AND SOLAR CELL MODULE
(FR) RÉCIPIENT ÉTANCHE, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET MODULE DE CELLULE SOLAIRE
(JA) 密封容器、電子装置及び太陽電池モジュール
Abrégé : front page image
(EN)This invention has a glass member (4a), a metal member (5a), and a transition metal oxide glass (3) that fuses onto both the glass member (4a) and the metal member (5a). The transition metal oxide glass (3) is an n-type semiconductor. This invention is formed by bonding the glass member (4a) and the metal member (5a) using the transition metal oxide glass (3). The transition metal oxide glass (3) has transition metal ions having different valences, and the number of transition metal ions having higher valences is greater than the number of transition metal ions having lower valences. The transition metal oxide glass (3) contains vanadium, at least one of tellurium and phosphorus, and at least one of silver, iron, tungsten, copper, an alkali metal, and an alkali earth metal. The transition metal oxide glass (3) contains vanadium oxide, tellurium oxide, phosphorus oxide, and iron oxide, and the total mass thereof is no less than 75 mass% in relation to the mass of the transition metal oxide glass.
(FR)L'invention concerne un élément (4a) en verre, un élément métallique (5a) et un verre (3) à oxyde de métal de transition qui fusionne à la fois sur l'élément (4a) en verre et sur l'élément métallique (5a). Le verre (3) à oxyde de métal de transition est un semiconducteur de type n. La présente invention est formée en collant l'élément (4a) en verre et l'élément métallique (5a) à l'aide du verre (3) à oxyde de métal de transition. Le verre (3) à oxyde de métal de transition comprend des ions de métal de transition présentant des valences différentes, et le nombre d'ions de métal de transition présentant des valences plus élevées est supérieur au nombre d'ions de métal de transition présentant des valences plus faibles. Le verre (3) à oxyde de métal de transition contient du vanadium, du tellure et / ou du phosphore, ainsi que de l'argent, du fer, du tungstène, du cuivre, un métal alcalin, et / ou un métal alcalino-terreux. Le verre (3) à oxyde de métal de transition contient de l'oxyde de vanadium, de l'oxyde de tellure, de l'oxyde de phosphore et de l'oxyde de fer, et la masse totale de ceux-ci ne représente pas moins de 75% en masse par rapport à la masse du verre à oxyde de métal de transition.
(JA) ガラス部材4aと金属部材5aとこれらのどちらにも融着する遷移金属酸化物ガラス3とを有し、遷移金属酸化物ガラス3はn型半導体であり、ガラス部材4aと金属部材5aを遷移金属酸化物ガラス3で接着して形成される。遷移金属酸化物ガラス3は、異なる価数をとる遷移金属イオンを有し、高価数の遷移金属イオンの数が、低価数の遷移金属イオンの数よりも多い。遷移金属酸化物ガラス3は、バナジウムを含み、テルルと燐の少なくとも1種を含み、銀、鉄、タングステン、銅、アルカリ金属とアルカリ土類金属の少なくとも1種を含む。遷移金属酸化物ガラス3は、酸化バナジウム、酸化テルル、酸化リンと酸化鉄を含み、それらの質量の和は、遷移金属酸化物ガラスの質量に対して75質量%以上である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)