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1. (WO2013190907) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE CARBURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/190907    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/062210
Date de publication : 27.12.2013 Date de dépôt international : 25.04.2013
CIB :
H01L 29/41 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Inventeurs : YAMADA, Shunsuke; (JP).
TAMASO, Hideto; (JP)
Mandataire : FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-139386 21.06.2012 JP
Titre (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)This silicon carbide semiconductor device (1) comprises a silicon carbide substrate (10) and a contact electrode (16). The silicon carbide substrate (10) includes an n-type region (14) and a p-type region (18) that is in contact with the n-type region (14). The contact electrode (16) is in contact with the silicon carbide substrate (10). The contact electrode (16) includes a first region (5) including TiSi, and a second region (3) including Al. The first region (5) includes an n contact region (5a) that is in contact with the n-type region (14), and a p contact region (5b) that is in contact with the p-type region (18). The second region (3) is formed so as to contact the p-type region (18) and the n-type region (14) and surround the p contact region (5b) and the n contact region (5a). Thus, it is possible to provide a silicon carbide semiconductor device having an electrode that is capable of making ohmic contact with both a p-type impurity region and an n-type impurity region formed in the silicon carbide substrate.
(FR)La présente invention a trait à un dispositif à semi-conducteur de carbure de silicium (1) qui comprend un substrat de carbure de silicium (10) et une électrode de contact (16). Le substrat de carbure de silicium (10) inclut une région de type N (14) et une région de type P (18) qui est en contact avec la région de type N (14). L'électrode de contact (16) est en contact avec le substrat de carbure de silicium (10). L'électrode de contact (16) inclut une première région (5) incluant TiSi et une seconde région (3) incluant Al. La première région (5) inclut une région de contact N (5a) qui est en contact avec la région de type N (14) et une région de contact P (5b) qui est en contact avec la région de type P (18). La seconde région (3) est formée de manière à être en contact avec la région de type P (18) et la région de type N (14) et à entourer la région de contact P (5b) et la région de contact N (5a). De la sorte, il est possible de fournir un dispositif à semi-conducteur de carbure de silicium qui est doté d'une électrode qui est en mesure de réaliser un contact ohmique avec à la fois une région d'impureté de type P et une région d'impureté de type N formées dans le substrat de carbure de silicium.
(JA) 炭化珪素半導体装置(1)は、炭化珪素基板(10)と、コンタクト電極(16)とを有する。炭化珪素基板(10)は、n型領域(14)およびn型領域(14)と接するp型領域(18)を含む。コンタクト電極(16)は、炭化珪素基板(10)と接する。コンタクト電極(16)は、TiSiを含む第1の領域(5)と、Alを含む第2の領域(3)とを有する。第1の領域(5)は、n型領域(14)と接するn接触領域(5a)と、p型領域(18)と接するp接触領域(5b)とを有する。第2の領域(3)は、p型領域(18)およびn型領域(14)と接し、かつp接触領域(5b)およびn接触領域(5a)を囲むように形成されている。これにより、炭化珪素基板に形成されたp型不純物領域およびn型不純物領域の双方に対してオーミック接触可能な電極を有する炭化珪素半導体装置を提供することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)