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1. (WO2013190863) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS EMPILÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/190863    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/055527
Date de publication : 27.12.2013 Date de dépôt international : 28.02.2013
CIB :
H01L 21/8238 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 27/00 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H01L 29/41 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001 (JP)
Inventeurs : IKEDA, Keiji; (JP).
TEZUKA, Tsutomu; (JP).
KAMIMUTA, Yuuichi; (JP).
FURUSE, Kiyoe; (JP)
Mandataire : KURATA, Masatoshi; c/o SUZUYE & SUZUYE, 6th floor, Kangin-Fujiya Bldg. 1-3-2, Toranomon, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-138103 19.06.2012 JP
Titre (EN) STACKED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS EMPILÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(JA) 積層型半導体装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a stacked semiconductor device that includes: a first complementary semiconductor device (100) in which a CMOS circuit and a wiring layer are formed on a semiconductor substrate (110); metal electrodes (141, 142) that are formed on the first complementary semiconductor device (100) together with a wiring layer; semiconductor layers (231, 232) that are formed on the metal electrodes (141, 142) with an insulating film (220) being interposed therebetween, that are separately formed in an nMOS area and a pMOS area, and that contain Ge as a principal component; and a second complementary semiconductor device (200) in which an nMOSFET is formed in the semiconductor layer in the nMOS area and a pMOSFET is formed in the semiconductor layer in the pMOS area.
(FR)La présente invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs empilé qui comprend : un premier dispositif à semi-conducteurs complémentaire (100) dans lequel un circuit CMOS et une couche de câblage sont formés sur un substrat de semi-conducteur (110); des électrodes métalliques (141, 142) qui sont formées sur le premier dispositif à semi-conducteurs complémentaire (100) ensemble avec une couche de câblage; des couches semi-conductrices (231, 232) qui sont formées sur les électrodes métalliques (141, 142) avec un film isolant (220) étant interposé entre celles-ci, qui sont formées séparément dans une zone nMOS et une zone pMOS, et qui contiennent du Ge en tant que composant principal; et un second dispositif à semi-conducteurs complémentaire (200) dans lequel un nMOSFET est formé dans la couche semi-conductrice dans la zone nMOS et un pMOSFET est formé dans la couche semi-conductrice dans la zone pMOS.
(JA) 積層型半導体装置であって、半導体基板(110)上にCMOS回路及び配線層が形成された第1の相補型半導体装置(100)と、第1の相補型半導体装置(100)上に、配線層と共に形成された金属電極(141,142)と、金属電極(141,142)上に絶縁膜(220)を介して形成され、且つnMOS領域とpMOS領域で分離して形成された、Geを主成分とする半導体層(231,232)と、nMOS領域の半導体層にnMOSFETを形成し、pMOS領域の半導体層にpMOSFETを形成してなる第2の相補型半導体装置(200)と、を具備した。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)