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1. (WO2013190838) SUBSTRAT TFT, PROCÉDÉ POUR SA PRODUCTION, DISPOSITIF D'AFFICHAGE EL ORGANIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE EL ORGANIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/190838    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/003823
Date de publication : 27.12.2013 Date de dépôt international : 19.06.2013
CIB :
H01L 21/308 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 27/32 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/10 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP)
Inventeurs : SASAKI, Atsushi; .
SATOH, Eiichi; .
HIGASHI, Hirofumi;
Mandataire : NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-139313 21.06.2012 JP
2012-219112 01.10.2012 JP
Titre (EN) TFT SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING SAME, ORGANIC EL DISPLAY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC EL DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT TFT, PROCÉDÉ POUR SA PRODUCTION, DISPOSITIF D'AFFICHAGE EL ORGANIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE EL ORGANIQUE
(JA) TFT基板およびその製造方法並びに有機EL表示装置およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for producing a TFT substrate that is provided with a TFT comprising an oxide semiconductor layer, said method comprising a step for forming an insulating layer so as to cover the oxide semiconductor layer and a step for forming an opening in the insulating layer. The insulating layer comprises a first film, a second film that is an aluminum oxide film formed on the first film, and a third film that is a film formed on the second film and containing silicon. The step for forming an opening in the insulating layer comprises: a step for forming a resist pattern on the third film (step 151); a step for processing the third film by dry etching (step 152); and a step for processing the second film (122) by wet etching (step 153).
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'un substrat TFT qui est muni d'un TFT comportant une couche de semiconducteur à oxyde, ledit procédé comportant une étape consistant à former une couche isolante de façon à recouvrir la couche de semiconducteur à oxyde et une étape consistant à former une ouverture dans la couche isolante. La couche isolante comporte un premier film, un deuxième film qui est un film d'oxyde d'aluminium formé sur le premier film, et un troisième film qui est un film formé sur le deuxième film et contenant du silicium. L'étape consistant à former une ouverture dans la couche isolante comporte : une étape consistant à former un motif de réserve sur le troisième film (étape 151) ; une étape consistant à traiter le troisième film par gravure à sec (étape 152) ; et une étape consistant à traiter le deuxième film (122) par gravure humide (étape 153).
(JA) 酸化物半導体層を含むTFTが形成されたTFT基板の製造方法であって、酸化物半導体層を覆うように絶縁層を形成する工程と、絶縁層に開口部を形成する工程と、を含み、絶縁層は、第1の膜と、第1の膜上に設けられた、酸化アルミニウム膜である第2の膜と、第2の膜上に設けられた、シリコンを含む膜である第3の膜とを有し、絶縁層に開口部を形成する工程は、第3の膜上にレジストパターンを形成する工程(ステップ151)と、第3の膜をドライエッチングにより加工する工程(ステップ152)と、第2の膜(122)をウエットエッチングにより加工する工程(ステップ153)と、を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)