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1. (WO2013190392) GUIDES D'ONDE, ANTENNES ET DISPOSITIFS MICRO-ONDES À BANDE DIÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/190392    N° de la demande internationale :    PCT/IB2013/001973
Date de publication : 27.12.2013 Date de dépôt international : 21.06.2013
CIB :
H01P 1/00 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY OF MANITOBA [CA/CA]; Room 631, Drake Centre 181 Freedman Crescent Winnipeg, MB R3M 3N5 (CA).
UNIVERSITY OF SASKATCHEWAN [--/CA]; 501 - 121 Research Drive Saskatoon, SK S7N 1K2 (CA)
Inventeurs : RASHIDIAN, Atabak; (CA).
SHAFAI, Lotfollah; (CA).
KLYMYSHYN, David, M.; (CA).
ALIGODARZ, Mohammadreza, Tayfeh; (CA)
Mandataire : NORTON ROSE FULBRIGHT CANADA LLP / S.E.N.C.R.L., S.R.L.; 1 Place Ville Marie - Suite 2500 Montréal, Québec H3B 1R1 (CA)
Données relatives à la priorité :
61/663,417 22.06.2012 US
Titre (EN) DIELECTRIC STRAP WAVEGUIDES, ANTENNAS, AND MICROWAVE DEVICES
(FR) GUIDES D'ONDE, ANTENNES ET DISPOSITIFS MICRO-ONDES À BANDE DIÉLECTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A new class of antennas and microwave components are introduced. In this approach a high-permittivity dielectric film is applied (i.e. printed) on a dielectric substrate, which may be grounded. By changing the shape of the high-permittivity film, different microwave devices (e.g. waveguides, filters, couplers, and antennas) are produced. By changing the size and permittivity of the high-permittivity film and dielectric substrate, these elements are designed at different frequencies for different applications. Highly-efficient microwave devices can result due to the absence of surface currents.
(FR)Cette invention concerne un nouveau type d'antennes et de composants micro-ondes. Selon cette approche, un film diélectrique à haute permittivité est appliqué (c'est-à-dire imprimé) sur un substrat diélectrique qui peut être mis à la terre. Divers dispositifs micro-ondes (par exemple, des guides d'ondes, des filtres, des coupleurs et des antennes) sont produits par modification de la forme du film à haute permittivité. La modification de la taille et de la permittivité du film à haute permittivité et du substrat diélectrique permet de doter lesdits éléments de fréquences différentes pour diverses applications. L'absence de courants de surface permet de former des dispositifs micro-ondes de haute efficacité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)