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1. (WO2013190235) VITROCÉRAMIQUES DE CHALCOGÉNURES À PROPRIÉTÉS PHOTOÉLECTRIQUES ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/190235    N° de la demande internationale :    PCT/FR2013/051432
Date de publication : 27.12.2013 Date de dépôt international : 19.06.2013
CIB :
C03C 4/00 (2006.01), C03C 4/14 (2006.01), C03C 10/00 (2006.01), H01B 1/06 (2006.01)
Déposants : CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE [FR/FR]; 3, rue Michel-Ange F-75794 Paris Cedex 16 (FR).
UNIVERSITE DE NANTES [FR/FR]; 1, quai de Tourville BP 13522 F-44035 Nantes Cedex 1 (FR).
UNIVERSITE DE RENNES 1 [FR/FR]; 2, rue de Thabor CS 46510 F-35065 Rennes Cedex (FR)
Inventeurs : ZHANG, Xianghua; (FR).
CALVEZ, Laurent; (FR).
MA, Hong Li; (FR).
FAN, Xianping; (CN).
XU, Yang; (FR).
LAFOND, Alain; (FR)
Mandataire : GUTMANN, Ernest; Yves Plasseraud SAS 3, rue Auber F-75009 Paris (FR)
Données relatives à la priorité :
1255801 20.06.2012 FR
Titre (EN) CHALCOGENIDE GLASS-CERAMICS WITH PHOTOELECTRIC PROPERTIES AND METHOD FOR THE MANUFACTURE THEREOF
(FR) VITROCÉRAMIQUES DE CHALCOGÉNURES À PROPRIÉTÉS PHOTOÉLECTRIQUES ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A chalcogenide glass-ceramic having, for example, the following composition GeSe2-Sb2Se3-CuI, wherein this glass-ceramic comprises at least one crystalline phase, characterized in that the degree of crystallization and the sizes of at least some crystals of the crystalline phase are such that these crystals are substantially in contact with one another in such a way that this crystalline phase has an electrical conductivity greater than or equal to 10-4s.cm-1 which increases under illumination owing to the creation of a photocurrent within the crystalline phase.
(FR)Vitrocéramique de chalcogénure, ayant par exemple la composition suivante GeSe2-Sb2Se3–CuI, cette vitrocéramique comportant au moins une phase cristalline, caractérisée en ce que le taux de cristallisation et les dimensions d'au moins certains cristaux de la phase cristalline sont tels que ces cristaux sont sensiblement en contact les uns avec les autres de façon à ce que cette phase cristalline présente une conductivité électrique supérieure ou égale à 10-4s.cm-1 qui augmente sous éclairage du fait de la création d'un photo-courant au sein de la phase cristalline.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)