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1. (WO2013190006) CONNECTEUR DE CARTE À MÉMOIRE RÉSISTANT AUX DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/190006    N° de la demande internationale :    PCT/EP2013/062791
Date de publication : 27.12.2013 Date de dépôt international : 19.06.2013
CIB :
H01R 13/648 (2006.01), G06K 7/00 (2006.01)
Déposants : COMPAGNIE INDUSTRIELLE ET FINANCIERE D'INGENIERIE "INGENICO" [FR/FR]; 28/32 Boulevard de Grenelle F-75015 Paris (FR)
Inventeurs : PAVAGEAU, Stéphane; (FR).
GARY, Didier; (FR)
Mandataire : LE SAUX, Gaël; 90333 B Technopole Atalante 16B, rue de Jouanet F-35703 Rennes Cedex 7 (FR)
Données relatives à la priorité :
1255750 19.06.2012 FR
Titre (EN) CONNECTOR FOR MEMORY CARD RESISTANT TO ELECTROSTATIC DISCHARGES
(FR) CONNECTEUR DE CARTE À MÉMOIRE RÉSISTANT AUX DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a connector for memory card (20) comprising an insertion module (21) of overall right-angle parallelepipedal shape, said insertion module (21) comprising an insertion slot (221) for inserting a memory card. According to the invention, such a connector furthermore comprises several static electricity discharge zones (24) coming into contact with a portion of a surface of a memory card upon the insertion of said memory card into said memory card connector, each of said static electricity discharge zones (24) being made at least in part of a conducting plastic material having a different surface resistance value, so that the discharge of the card is effected progressively in several phases.
(FR)L'invention concerne un connecteur de carte à mémoire (20) comprenant un module d'insertion (21) de forme globalement parallélépipédique rectangle, ledit module d'insertion (21) comprenant une fente d'insertion (221) de carte à mémoire. Selon l'invention, un tel connecteur comprend en outre plusieurs zones de décharge d'électricité statique (24) entrant en contact avec une portion d'une surface d'une carte à mémoire lors de I'insertion de ladite carte à mémoire dans ledit connecteur de carte à mémoire, chacune desdites zones de décharge d'électricité statique (24) étant constitutée au moins en partie par une matière plastique conductrice ayant une valeur de résistance surfacique différente, de sorte de sorte que la décharge de la carte se réalise de façon progressive en plusieurs phases.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)