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1. (WO2013189971) SYSTÈME MULTICOUCHE POUR CELLULES SOLAIRES À FILMS MINCES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/189971    N° de la demande internationale :    PCT/EP2013/062715
Date de publication : 27.12.2013 Date de dépôt international : 19.06.2013
CIB :
H01L 31/032 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), H01L 31/0392 (2006.01)
Déposants : SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE [FR/FR]; 18, avenue d'Alsace F-92400 Courbevoie (FR)
Inventeurs : PALM, Jörg; (DE).
POHLNER, Stephan; (DE).
HAPP, Thomas; (DE).
DALIBOR, Thomas; (DE).
JOST, Stefan; (DE).
DIETMÜLLER, Roland; (DE)
Mandataire : GEBAUER, Dieter; Splanemann Patentanwälte Rumfordstraße 7 80469 München (DE)
Données relatives à la priorité :
12172697.0 20.06.2012 EP
Titre (DE) SCHICHTSYSTEM FÜR DÜNNSCHICHTSOLARZELLEN
(EN) LAYER SYSTEM FOR THIN-FILM SOLAR CELLS
(FR) SYSTÈME MULTICOUCHE POUR CELLULES SOLAIRES À FILMS MINCES
Abrégé : front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft ein Schichtsystem (1) für Dünnschichtsolarzellen (100) und Solarmodule, umfassend - eine Absorberschicht (4), die einen Chalkogenidverbindungshalbleiter enthält und - eine Pufferschicht (5), die auf der Absorberschicht (4) angeordnet ist und Halogen-angereichertes InxSy mit 2/3 ≤ x/y ≤ 1 enthält, wobei die Pufferschicht (5) aus einem an die Absorberschicht (4) angrenzenden ersten Schichtbereich (5.1) mit einem Halogen-Stoffmengenanteil A1 und einem an den ersten Schichtbereich (5.1) angrenzenden zweiten Schichtbereich (5.2) mit einem Halogen-Stoffmengenanteil A2 besteht und das Verhältnis A1/A2≥2 beträgt und die Schichtdicke (d1) des ersten Schichtbereichs (5.1) ≤ 50% der Schichtdicke (d) der Pufferschicht (5) beträgt.
(EN)The invention relates to a layer system (1) for thin-film solar cells (100) and solar panels, said system comprising an absorber layer (4) containing a chalcogenide semiconductor and a buffer layer (5) which is arranged on the absorber layer (4) and contains halogen-enriched InxSy, where 2/3 ≤ x/y ≤ 1. The buffer layer (5) consists of a first layer region (5.1) adjoining the absorber layer (4) and containing a halogen mole fraction A1 and a second layer region (5.1) adjoining the first layer region (5.2) and containing a halogen mole fraction A2. The ratio of A1/A2 is ≥2 and the layer thickness (d1) of the first layer region (5.1) ≤ 50% of the layer thickness (d) of the buffer layer (5).
(FR)La présente invention concerne un système multicouche (1) pour cellules solaires à films minces (100) et modules solaires, comprenant - une couche absorbante (4) qui contient un semi-conducteur de liaison au chalcogénure et - une couche tampon (5) qui est disposée sur la couche absorbante (4) et contient InxSy enrichi en halogène, 2/3 ≤ x/y ≤ 1. La couche tampon (5) est constituée d'une première zone (5.1) ayant une proportion de constituant halogène A1 et adjacente à la couche absorbante (4) et d'une deuxième zone (5.2) ayant une proportion de constituant halogène A2 et adjacente à la première zone (5.1) et le rapport A1/A2 est ≥2 et l'épaisseur de couche (d1) de la première zone (5.1) est ≤ à 50% de l'épaisseur de couche (d) de la couche tampon (5).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)