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1. (WO2013189850) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ORGANIQUE DE TYPE PIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/189850    N° de la demande internationale :    PCT/EP2013/062362
Date de publication : 27.12.2013 Date de dépôt international : 14.06.2013
CIB :
H01L 51/50 (2006.01)
Déposants : ASTRON FIAMM SAFETY [FR/FR]; 35 Rue du Docteur Pasteur Zone d'Entreprise F-83210 La Farlède (FR)
Inventeurs : KHALIFA, Mohamed; (FR).
CHOUKRI, Hakim; (FR).
CLOAREC, Hélène; (FR).
DUSSERT-VIDALET, Bruno; (FR).
TAILLEPIERRE, Philippe; (FR)
Mandataire : DECOBERT, Jean-Pascal; Cabinet Hautier 20 Rue De La Liberte F-06000 Nice (FR)
Données relatives à la priorité :
1255680 18.06.2012 FR
Titre (EN) P-I-N-TYPE ORGANIC LIGHT-EMITTING DIODE
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ORGANIQUE DE TYPE PIN
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a p-i-n-type organic light-emitting diode (OLED) including a stack that includes the following ordered series: a first electrode (2, 8) of a first electrode type, a first transport layer (3, 7) of a first charge carrier type, a transmission layer (5), a second transport layer (3, 7) of a second charge carrier type, and a second electrode (2, 8) of a second electrode type. At least one of the transport layers (3, 7) includes at least two basic transport layers (3l-3n, 7l-7n). According to the invention, each basic transport layer (3l-3n, 7l-7n) of a single transport layer (3, 7) has, relative to an adjacent basic transport layer, a charge carrier mobility corresponding to said decreasing transport layer, and consequently, a conductivity that decreases as the basic transport layer (3l-3n, 7l-7n) progresses away from the adjacent electrode (2, 8), the basic transport layers of a single transport layer having the same dopant concentration.
(FR)Diode électroluminescente organique, DELO, de type PIN, comprenant un empilement comprenant la succession ordonnée suivante : - une première électrode (2, 8), d'un premier type d'électrode, - une première couche de transport (3, 7) d'un premier type de porteur de charge, - une couche d'émission (5), - une deuxième couche de transport (3, 7) d'un deuxième type de porteur de charge, - une deuxième électrode (2, 8), d'un deuxième type d'électrode, - l'une au moins des couches de transport (3, 7) comprenant au moins deux couches de transport élémentaires (31 -3n, 71 -7n). Selon l'invention, chaque couche de transport élémentaire (31 -3n, 71 -7n) d'une même couche de transport (3, 7) présente, relativement à une couche de transport élémentaire adjacente, une mobilité des porteurs de charge correspondant à ladite couche de transport décroissante et par conséquent une conductivité décroissante avec l'éloignement de la couche de transport élémentaire (31 -3n, 71 -7n) relativement à l'électrode (2, 8) voisine, les couches de transport élémentaires d'une même couche de transport présentant la même concentration en dopant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)