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1. (WO2013189486) PROCEÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE PISTES CONDUCTRICES TRIDIMENSIONNELLE ET STRUCTURE DE PISTES CONDUCTRICES FABRIQUÉE SELON CE PROCÉDÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/189486    N° de la demande internationale :    PCT/DE2013/100216
Date de publication : 27.12.2013 Date de dépôt international : 13.06.2013
CIB :
H05K 3/10 (2006.01)
Déposants : LPKF LASER & ELECTRONICS AG [DE/DE]; Osteriede 7 30827 Garbsen (DE)
Inventeurs : OSTHOLT, Roman; (DE).
JOHN, Wolfgang; (DE).
KRÜGER, Robin, Alexander; (DE).
RÖSENER, Bernd; (DE).
SCHNOOR, Arne; (DE)
Mandataire : SCHEFFLER, Jörg; Patentanwaltskanzlei Scheffler Arnswaldtstraße 31 30159 Hannover (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2012 105 317.0 19.06.2012 DE
10 2012 105 765.6 29.06.2012 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER DREIDIMENSIONALEN LEITERBAHNSTRUKTUR SOWIE EINE NACH DIESEM VERFAHREN HERGESTELLTE LEITERBAHNSTRUKTUR
(EN) METHOD FOR PRODUCING A THREE-DIMENSIONAL CONDUCTOR TRACE STRUCTURE AND A CONDUCTOR TRACE STRUCTURE PRODUCED ACCORDING TO THIS METHOD
(FR) PROCEÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE PISTES CONDUCTRICES TRIDIMENSIONNELLE ET STRUCTURE DE PISTES CONDUCTRICES FABRIQUÉE SELON CE PROCÉDÉ
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Leiterbahnstruktur (4) auf einem dielektrischen Trägermaterial (1). Dabei wird das Trägermaterial (1) zunächst mit einer flächigen Beschichtung (2) versehen. In der Beschichtung (2) sind nanoskalige Partikel enthalten, die als einen wesentlichen Materialanteil Metalloxide, beispielsweise Kupferoxide enthalten, die mit einem geeigneten Reduktionsmittel beschichtet sind. Anschließend wird die Beschichtung (2) selektiv einer elektromagnetischen Strahlung eines Lasers (3) ausgesetzt. Dadurch kommt es aufgrund der selektiven Strahlungseinwirkung zu einem Versintern von in der Beschichtung (2) enthaltenen oder in situ erzeugten Partikeln, wobei sich die Leiterbahnstruktur (4) ausbildet.
(EN)The invention relates to a method for producing a conductor trace structure (4) on a dielectric carrier material (1). The carrier material (1) is first furnished with a flat coating (2). Nanoscale particles containing a substantial material content of metal oxides such as copper oxides, which are coated with a suitable reduction agent, are contained in the coating (2). Then, the coating (2) is exposed selectively to an electromagnetic radiation from a laser (3). Due to selective action of radiation, this results in a sintering of particles contained in or generated in situ in the coating (2), producing the conductive trace structure (4).
(FR)L'invention concerne un procédé pour fabriquer une structure de pistes conductrices (4) sur un matériau support (1) diélectrique. Le matériau support (1) est tout d'abord doté d'un revêtement (2) en nappe. Le revêtement (2) contient des particules nanométriques qui, en tant quematière principale, contiennent des oxydes métalliques tels que des oxydes de cuivre, recouverts d'un agent réducteur approprié. Ensuite, le revêtement (2) est soumis de manière sélective au rayonnement électromagnétique d'un laser (3). L'effet du rayonnement sélectif permet de fritter des particules contenues dans le revêtement (2) ou produites sur place, formant ainsi la structure de pistes conductrices (4).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)