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1. (WO2013189299) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À BASE DE GAN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/189299    N° de la demande internationale :    PCT/CN2013/077609
Date de publication : 27.12.2013 Date de dépôt international : 21.06.2013
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : XIAMEN SANAN OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; ZHUO, Jiali No.1721-1725, Lvling Road, Siming District Xiamen, Fujian 361009 (CN)
Inventeurs : ZHENG, Jiansen; (CN).
LIN, Suhui; (CN).
PENG, Kangwei; (CN).
HONG, Lingyuan; (CN).
YIN, Lingfeng; (CN)
Données relatives à la priorité :
201210206024.3 21.06.2012 CN
Titre (EN) GAN-BASED LIGHT EMITTING DIODE
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À BASE DE GAN
(ZH) 一种氮化镓基发光二极管
Abrégé : front page image
(EN)A GaN-based light emitting diode (LED) comprises a substrate (200), an epitaxial layer, a current extension layer (205) and a P electrode (207), wherein the substrate is provided with a front surface and a back surface; the epitaxial layer is formed on the front surface of the substrate and comprises a P-type layer (203), a light-emitting region (202) and an N-type layer (201) from top to bottom in sequence; the current extension layer (205) is formed on the P-type layer; and the P electrode (207) is formed on the current extension layer. The GaN-based LED is characterized by further comprising a first reflecting layer (204) and a second reflecting layer (209), wherein the first reflecting layer (204) is positioned between the current extension layer and the epitaxial layer and is distributed in a zonal manner on a marginal area of the epitaxial layer; and the second reflecting layer (209) is positioned on the back surface of the substrate. According to the present invention, the zonal or annular first reflecting layer is arranged on the marginal area of the surface of the LED epitaxial layer, the probability of taking light from the side surface of the LED can be enhanced, namely, the proportion of light emitted from the light-emitting layer, which is emergent to the upper side to light emitted from the light-emitting layer, which is emergent to the side surface, is controlled, so the emergent light distribution uniformity of a chip is adjusted, and the non-uniform heat-radiation phenomenon is improved.
(FR)L'invention concerne une diode électroluminescente (DEL) à base de GaN qui comprend un substrat (200), une couche épitaxique, une couche d'extension de courant (205), une électrode de type p (207), le substrat comportant une surface avant et une surface arrière ; la couche épitaxique étant formée sur la surface avant du substrat et comprenant une couche de type p (203), une zone électroluminescente (202) et une couche de type n (201) de haut en bas dans cet ordre ; la couche d'extension de courant (205) étant formée sur la couche de type p ; et l'électrode de type p (207) étant formée sur la couche d'extension de courant. La DEL à base de GaN est caractérisée en ce qu'elle comprend en outre une première couche réfléchissante (204) et une seconde couche réfléchissante (209), la première couche réfléchissante (204) étant positionnée entre la couche d'extension de courant et la couche épitaxique et étant distribuée de manière zonale sur une aire marginale de la couche épitaxique ; et la seconde couche réfléchissante (209) étant positionnée sur la surface arrière du substrat. Selon la présente invention, la première couche réfléchissante zonale ou annulaire est agencée sur l'aire marginale de la surface de la couche épitaxique de la DEL, la probabilité de recevoir la lumière depuis la surface latérale de la DEL peut être améliorée, c'est-à-dire que la proportion de lumière émise par la couche électroluminescente qui émerge vers le côté supérieur, par rapport à la lumière émise par la couche électroluminescente qui émerge vers la surface latérale, est contrôlée, donc l'uniformité de distribution de lumière émergente d'une puce est ajustée, et le phénomène de rayonnement de chaleur non uniforme est amélioré.
(ZH)一种氮化镓基发光二极管,包括:一具正、背两面的衬底(200);外延层,形成于所述衬底的正面上,自上而下依次包含P型层(203)、发光区(202)和N型层(201);电流扩展层(205),形成于所述P型层之上;P电极(207),形成所述电流扩展层之上;其特征在于:还包括第一反射层(204),位于所述电流扩展层与外延层之间,其呈带状分布在外延层的边缘区域;第二反射层(209),位于所述衬底的背面。本发明通过在LED外延层的表面边缘区域设置带状或环状的第一反射层,可以增强发光二极管的侧面取光的几率,即控制发光层发出的光线向上和侧面出射的比例,从而调整芯片的出光分布均匀性,改善散热不均匀现象。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)