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1. (WO2013189298) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À BASE DE NITRURE DE GALLIUM COMPORTANT DEUX COUCHES RÉFLÉCHISSANTES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/189298    N° de la demande internationale :    PCT/CN2013/077608
Date de publication : 27.12.2013 Date de dépôt international : 21.06.2013
CIB :
H01L 33/10 (2010.01)
Déposants : XIAMEN SANAN OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; (CN)
Inventeurs : ZHENG, Jianshen; (CN).
LIN, Suhui; (CN).
PENG, Kangwei; (CN).
HONG, Lingyuan; (CN).
HE, Anhe; (CN)
Données relatives à la priorité :
201210206025.8 21.06.2012 CN
Titre (EN) GALLIUM NITRIDE-BASED LIGHT-EMITTING DIODE HAVING DUAL REFLECTIVE LAYERS
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À BASE DE NITRURE DE GALLIUM COMPORTANT DEUX COUCHES RÉFLÉCHISSANTES
(ZH) 一种具有双反射层的氮化镓基发光二极管
Abrégé : front page image
(EN)A gallium nitride-based light-emitting diode having dual reflective layers comprises: a substrate (200); an epitaxial layer formed upon said substrate (200) comprising a p-type layer (203), a light-emitting region (202) and an n-type layer (201); a current-spreading layer (205) formed upon the p-type layer (203); a p-electrode (207) formed upon the current spreading layer (205); a reflective structure formed between said p-electrode (207) and said epitaxial layer and consisting of an annular reflective layer (204) and a metallic reflective layer (206) whereof the geometrical center corresponds perpendicularly to the p-electrode (207). The annular reflective layer (204) is formed between the current spreading layer (205) and the p-type layer (203); the metallic reflective layer (206) is formed between the current spreading layer (205) and the p-electrode (207). The annular reflective layer (204) is arranged at a predetermined distance from the metallic reflective layer.
(FR)L'invention concerne une diode électroluminescente à base de nitrure de gallium comportant deux couches réfléchissantes, qui comprend : un substrat (200), une couche épitaxiale formée sur ledit substrat (200) et qui comprend une couche de type p (203), une région électroluminescente (202) et une couche de type n (201) ; une couche d'étalement d'intensité de courant (205), formée sur la couche de type p (203) ; une électrode p (207), formée sur la couche d'étalement d'intensité de courant (205) ; une structure réfléchissante, formée entre ladite électrode p (207) et ladite couche épitaxiale, et qui est constituée d'une couche réfléchissante annulaire (204) et d'une couche réfléchisante métallique (206), dont le centre géométrique correspond perpendiculairement à l'électrode p (207). La couche réfléchissante annulaire (204) est formée entre la couche d'étalement d'intensité de courant (205) et la couche de type p (203). La couche réfléchissante métallique (206) est formée entre la couche d'étalement d'intensité de courant (205) et l'électrode p (207). La couche réfléchissante annulaire (204) est placée à une distance prédéterminée de la couche réfléchissante métallique.
(ZH)一种具有双反射层的氮化镓基发光二极管,包括:衬底(200);外延层,形成于衬底(200)上,其中外延层包含P型层(203)、发光区(202)和N型层(201);电流扩展层(205),形成于P型层(203)之上,P电极(207),形成于电流扩展层(205)之上;一反射结构形成于P电极(207)与外延层之间,由环状反射层(204)和金属反射层(206)构成,其几何中心在垂直方向上与P电极(207)对应,环状反射层(204)形成于电流扩展层(205)与P型层(203)之间;金属反射层(206)形成于电流扩展层(205)与P电极(207)之间;环状反射层(204)与金属反射层(206)之间设有一预定距离。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)