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1. (WO2013189132) PROCÉDÉ DE DÉTERMINATION DE LA PROFONDEUR D'UNE JONCTION PN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/189132    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/081780
Date de publication : 27.12.2013 Date de dépôt international : 21.09.2012
CIB :
H01L 21/66 (2006.01)
Déposants : INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No.3 Beitucheng West Road, Chaoyang District Beijing 100029 (CN) (Tous Sauf US).
BU, Jianhui [CN/CN]; (CN) (US only).
BI, Jinshun [CN/CN]; (CN) (US only).
LUO, Jiajun [CN/CN]; (CN) (US only).
HAN, Zhengsheng [CN/CN]; (CN) (US only)
Inventeurs : BU, Jianhui; (CN).
BI, Jinshun; (CN).
LUO, Jiajun; (CN).
HAN, Zhengsheng; (CN)
Mandataire : HANHOW INTELLECTUAL PROPERTY PARTNERS; ZHU, Haibo W1-1111,F/11, Oriental Plaza No.1 East Chang An Avenue, Dongcheng District Beijing 100738 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210212571.2 21.06.2012 CN
Titre (EN) METHOD FOR DETERMINING PN JUNCTION DEPTH
(FR) PROCÉDÉ DE DÉTERMINATION DE LA PROFONDEUR D'UNE JONCTION PN
(ZH) 一种PN结结深测算方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for determining PN junction depth comprises steps as follows: a) measuring a square resistance in a well region (S101); b) forming a junction type field effect transistor in the well region, changing a gate electrode voltage and measuring a source-drain resistance (S102); c) calculating the PN junction depth according to the measured square resistance, source-drain resistance and relative technical parameters of the junction type field effect transistor (S103). Determining the PN junction depth according to the electrical measurement is simple and feasible, and has better repeatability.
(FR)La présente invention concerne un procédé de détermination de la profondeur d'une jonction PN comprenant les étapes consistant à : a) mesurer une résistance carrée dans une zone de puits (S101) ; b) former un transistor à effet de champ de type à jonction dans la zone de puits, changer une tension d'électrode de porte et mesurer une résistance de débit source (S102) ; c) calculer la profondeur de jonction PN selon la résistance carrée mesurée, la résistance de débit source et des paramètres techniques relatifs du transistor à effet de champ de type à jonction (S103). La détermination de la profondeur de la jonction PN selon la mesure électrique est simple et faisable et présente une meilleure reproductibilité.
(ZH)一种PN结结深测算方法,包括以下步骤:a)测量阱区方阻(S101);b)在阱区中形成结型场效应晶体管,改变栅极电压并测量源漏电阻(S102);c)根据测得的方阻、源漏电阻以及所述结型场效应晶体管的相关工艺参数计算出PN结结深(S103)。通过电学测量对PN结结深予以测算,简单易行,可重复性好。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)