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1. (WO2013188712) MODULES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE COMPRENANT DES SYSTÈMES, DES DISPOSITIFS ET DES PROCÉDÉS CONNEXES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/188712    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/045742
Date de publication : 19.12.2013 Date de dépôt international : 13.06.2013
CIB :
H03F 1/30 (2006.01), H03F 3/189 (2006.01)
Déposants : SKYWORKS SOLUTIONS, INC. [US/US]; 20 Sylvan Road Woburn, MA 01801 (US)
Inventeurs : CHEN, Howard, E.; (US).
GUO, Yifan; (US).
HOANG, Dinhphuoc, Vu; (US).
JANANI, Mehran; (US).
KO, Tin, Myint; (US).
LEHTOLA, Philip, John; (US).
LOBIANCO, Anthony, James; (US).
MODI, Hardik, Bhupendra; (US).
NGUYEN, Hoang, Mong; (US).
OZALAS, Matthew, Thomas; (US).
PETTY-WEEKS, Sandra, Louise; (US).
READ, Matthew, Sean; (US).
RIEGE, Jens, Albrecht; (US).
RIPLEY, David, Steven; (US).
SHAO, Hongxiao; (US).
SHEN, Hong; (US).
SUN, Weimin; (US).
SUN, Hsiang-Chih; (US).
WELCH, Patrick, Lawrence; (US).
ZAMPARDI, Peter, J., Jr.; (US).
ZHANG, Guohao; (CN)
Mandataire : CHRISTENSEN, Michael, R.; Knobbe Martens Olson & Bear, LLP 2040 Main Street 14th Floor Irvine, CA 92614 (US)
Données relatives à la priorité :
61/659,848 14.06.2012 US
Titre (EN) POWER AMPLIFIER MODULES INCLUDING RELATED SYSTEMS, DEVICES, AND METHODS
(FR) MODULES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE COMPRENANT DES SYSTÈMES, DES DISPOSITIFS ET DES PROCÉDÉS CONNEXES
Abrégé : front page image
(EN)A power amplifier module includes a power amplifier including a GaAs bipolar transistor having a collector, a base abutting the collector, and an emitter, the collector having a doping concentration of at least about 3x1016 cm-3 at a junction with the base, the collector also having at least a first grading in which doping concentration increases away from the base; and an RF transmission line driven by the power amplifier, the RF transmission line including a conductive layer and finish plating on the conductive layer, the finish plating including a gold layer, a palladium layer proximate the gold layer, and a diffusion barrier layer proximate the palladium layer, the diffusion barrier layer including nickel and having a thickness that is less than about the skin depth of nickel at 0.9 GHz. Other embodiments of the module are provided along with related methods and components thereof.
(FR)Dans l'invention, un module amplificateur de puissance comporte un amplificateur de puissance doté d'un transistor bipolaire au GaAs qui inclut un collecteur, une base contiguë au collecteur et un émetteur. Le collecteur possède une concentration de dopage d'au moins 3 x 1016 cm-3 environ à une jonction avec la base, et il présente également au moins un premier échelonnement de sa concentration de dopage selon lequel la concentration de dopage augmente au départ de ladite base. Le module amplificateur de puissance comporte aussi une ligne de transmission RF pilotée par l'amplificateur de puissance, cette ligne de transmission RF comprenant une couche conductrice et un placage de finition sur la couche conductrice. Le placage de finition inclut une couche d'or, une couche de palladium à proximité de la couche d'or, et une couche barrière de diffusion à proximité de la couche de palladium, cette couche barrière de diffusion contenant du nickel et présentant une épaisseur inférieure à une valeur à peu près égale à la profondeur de pénétration du nickel à 0,9 GHz. D'autres modes de réalisation de ce module sont décrits ainsi que des procédés et composants connexes du module.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)