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1. (WO2013188694) CIRCUITS DE POLARISATION POUR AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE HBT COMPENSÉS PAR TRAITEMENT ET PROCÉDÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/188694    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/045720
Date de publication : 19.12.2013 Date de dépôt international : 13.06.2013
CIB :
H03F 1/30 (2006.01), H03F 3/19 (2006.01)
Déposants : SKYWORKS SOLUTIONS, INC. [US/US]; 20 Sylvan Road Woburn, MA 01801 (US)
Inventeurs : RIPLEY, David, Steven; (US).
LEHTOLA, Philip, John; (US).
ZAMPARDI, Peter, J.; (US).
SHAO, Hongxiao; (US).
KO, Tin, Myint; (US).
OZALAS, Matthew, Thomas; (US)
Mandataire : CHRISTENSEN, Michael, R.; Knobbe Martens Olson & Bear, LLP 2040 Main Street 14th Floor Irvine, CA 92614 (US)
Données relatives à la priorité :
61/659,701 14.06.2012 US
61/659,834 14.06.2012 US
Titre (EN) PROCESS-COMPENSATED HBT POWER AMPLIFIER BIAS CIRCUITS AND METHODS
(FR) CIRCUITS DE POLARISATION POUR AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE HBT COMPENSÉS PAR TRAITEMENT ET PROCÉDÉS
Abrégé : front page image
(EN)The present disclosure relates to a system for biasing a power amplifier. The system can include a first die that includes a power amplifier circuit and a passive component having an electrical property that depends on one or more conditions of the first die. Further, the system can include a second die including a bias signal generating circuit that is configured to generate a bias signal based at least in part on measurement of the electrical property of the passive component of the first die.
(FR)La présente invention concerne un système de polarisation d'un amplificateur de puissance. Le système peut comporter une première puce comprenant un circuit amplificateur de puissance et un composant passif dont une propriété électrique dépend d'un ou plusieurs états de la première puce. Le système peut en outre comprendre une seconde puce comportant un circuit générateur de signal de polarisation configuré pour générer un signal de polarisation sur la base, au moins en partie, d'une mesure de la propriété électrique du composant passif de la première puce.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)