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1. (WO2013188574) STRUCTURE DE SUBSTRAT MULTICOUCHE, ET PROCÉDÉ ET SYSTÈME DE FABRICATION DE CELLE-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/188574    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/045482
Date de publication : 19.12.2013 Date de dépôt international : 12.06.2013
CIB :
H01L 33/00 (2010.01), H01L 29/15 (2006.01), H01L 33/04 (2010.01)
Déposants : TIVRA CORPORATION [US/US]; 3343 B Vincent Road Pleasant Hill, California 94602 (US)
Inventeurs : DE, Indranil; (US).
MACHUCA, Francisco; (US)
Mandataire : WANG, Xing; Alston & Bird LLP 100 South Tyron Street Bank of America Plaza, Suite 4000 Charlotte, North Carolina 28280-4000 (US)
Données relatives à la priorité :
61/659,944 14.06.2012 US
61/662,918 22.06.2012 US
13/794,372 11.03.2013 US
13/794,327 11.03.2013 US
13/794,285 11.03.2013 US
Titre (EN) MULTILAYER SUBSTRATE STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE SUBSTRAT MULTICOUCHE, ET PROCÉDÉ ET SYSTÈME DE FABRICATION DE CELLE-CI
Abrégé : front page image
(EN)A multilayer substrate structure comprises a substrate, a thermal matching layer formed on the substrate and a lattice matching layer above the thermal matching layer. The thermal matching layer includes at least one of molybdenum, molybdenum-copper, mullite, sapphire, graphite, aluminum-oxynitrides, silicon, silicon carbide, zinc oxides, and rare earth oxides. The lattice matching layer includes a first chemical element and a second chemical element to form an alloy. The first and second chemical element has similar crystal structures and chemical properties. The coefficient of thermal expansion of the thermal matching layer and the lattice parameter of the lattice matching layer are both approximately equal to that of a member of group III-V compound semiconductors. The lattice constant of the lattice matching layer is approximately equal to that of a member of group III-V compound semiconductor. The lattice matching layer and the thermal matching layer may be deposited on a substrate using a lateral control shutter.
(FR)La présente invention concerne une structure de substrat multicouche contenant un substrat, une couche thermique correspondante formée sur le substrat et une couche réseau correspondante au-dessus de la couche thermique correspondante. La couche thermique correspondante contient au moins un élément parmi le molybdène, le molybdène-cuivre, la mullite, le saphir, le graphite, les oxynitrures d'aluminium, le silicium, le carbure de silicium, les oxydes de zinc, et les oxydes de terre rares. La couche réseau correspondante contient un premier élément chimique et un second élément chimique pour former un alliage. Le premier et le second élément chimique ont des structures cristallines et des propriétés chimiques similaires. Le coefficient de dilatation thermique de la couche thermique correspondante et le paramètre de réseau de la couche réseau correspondante sont tous les deux approximativement égaux à ceux d'un élément des semi-conducteurs composés du groupe III-V. La constante de réseau de la couche réseau correspondante est approximativement égale à celle d'un élément des semi-conducteurs composés du groupe III-V. La couche réseau correspondante et la couche thermique correspondante peuvent être déposées sur un substrat en utilisant un obturateur de commande latéral.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)