WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2013188399) ARCHITECTURE POUR UNE MÉMOIRE NON-ET 3D
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/188399    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/045173
Date de publication : 19.12.2013 Date de dépôt international : 11.06.2013
CIB :
G11C 5/02 (2006.01), G11C 16/00 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 So. Federal Way Boise, Idaho 83716-9632 (US)
Inventeurs : MOROOKA, Midori; (JP).
TANAKA, Tomoharu; (JP)
Mandataire : MADDEN, Robert B.; Schwegman, Lundberg, & Woessner, P.A. P.O. Box 2938 Minneapolis, Minnesota 55402-0938 (US)
Données relatives à la priorité :
13/524,872 15.06.2012 US
Titre (EN) ARCHITECTURE FOR 3-D NAND MEMORY
(FR) ARCHITECTURE POUR UNE MÉMOIRE NON-ET 3D
Abrégé : front page image
(EN)Apparatuses are described that include stacked arrays of memory cell strings and their methods of operation. Apparatuses include architectures that reduce the use of several common components, allowing greater device density and smaller device size for a given semiconductor area.
(FR)La présente invention porte sur des appareils qui comprennent des matrices empilées de chaînes de cellules mémoire et leurs procédés de fonctionnement. Des appareils comprennent des architectures qui réduisent l'utilisation de plusieurs composants communs, permettant une densité de dispositif plus grande et une taille de dispositif plus petite pour une surface de semi-conducteur donnée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)