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1. (WO2013187751) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'OXYDE À FOND ÉPAIS DANS UNE TRANCHÉE PROFONDE DE TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP À SEMI-CONDUCTEUR OXYDE MÉTALLIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/187751    N° de la demande internationale :    PCT/MY2013/000101
Date de publication : 19.12.2013 Date de dépôt international : 27.05.2013
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01)
Déposants : MIMOS BERHAD [MY/MY]; Technology Park of Malaysia Bukit Jalil 57000, Kuala Lumpur (MY)
Inventeurs : MOHD, Hezri Abu Bakar; (MY).
ANIFAH, Zakaria; (MY).
FADZILAH, Arifin; (MY).
MOHD, Hilmy Azuan Hamzah; (MY)
Mandataire : MOHAN, K.; Adastra Intellectual Property Sdn Bhd A-28-10, Menara UOA Bangsar No. 5, Jalan Bangsar Utama 1 59000 Kuala Lumpur (MY)
Données relatives à la priorité :
PI 2012002621 11.06.2012 MY
Titre (EN) FABRICATION METHOD OF THICK BOTTOM OXIDE IN DEEP TRENCH OF METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTORS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'OXYDE À FOND ÉPAIS DANS UNE TRANCHÉE PROFONDE DE TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP À SEMI-CONDUCTEUR OXYDE MÉTALLIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method of fabrication of an oxide layer at the bottom of a trench in a Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) is provided. The method includes deposition of a pad oxide layer on a semiconductor substrate of the MOSFET; etching the pad oxide layer and the semiconductor substrate to form a trench in the semiconductor substrate, depositing a silicone oxide layer to fill the trench in the semiconductor substrate; etching the silicone oxide layer to remove the silicone oxide layer from a plurality of sidewalls of the trench; coating the silicone substrate and silicone oxide layer with a photoresist to protect them of etching; etching the photoresist and the silicone oxide layer until surface of the silicone substrate is reached; and removing the photoresist from inside the trench to obtain a thick bottom oxide (TBO) layer in the trench.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de couche d'oxyde au fond d'une tranchée dans un transistor à effet de champ à semi-conducteur oxyde métallique (MOSFET). Le procédé consiste à déposer une couche d'oxyde de pastille sur un substrat semi-conducteur du MOSFET ; à graver la couche d'oxyde de pastille et le substrat semi-conducteur afin de former une tranchée dans ce dernier, à déposer une couche d'oxyde de silicone afin de remplir la tranchée dans le substrat semi-conducteur ; à graver la couche d'oxyde de silicone pour la retirer d'une pluralité de parois latérales de la tranchée ; à recouvrir le substrat de silicone et la couche d'oxyde de silicone d'une résine photosensible afin de les protéger de la gravure ; à graver la résine photosensible et la couche d'oxyde de silicone jusqu'à atteindre la surface du substrat de silicone ; et à retirer la résine photosensible de l'intérieur de la tranchée afin d'obtenir une couche d'oxyde à fond épais (TBO) dans la tranchée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)