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1. (WO2013187625) SYSTÈME DE TRAITEMENT THERMIQUE RAPIDE D'UN MINCE FILM D'UNE CELLULE SOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/187625    N° de la demande internationale :    PCT/KR2013/004878
Date de publication : 19.12.2013 Date de dépôt international : 03.06.2013
CIB :
H01L 31/18 (2006.01), H01L 31/042 (2006.01)
Déposants : SNU PRECISION CO., LTD. [KR/KR]; (Bongcheon-dong) 576, Bongcheon-ro Gwanak-gu Seoul 152-818 (KR)
Inventeurs : Yoo, Sang Woo; (KR).
Kim, Joo Won; (KR).
Jeon, Kwang Jin; (KR).
Park, Sang Hyun; (KR).
Cha, Jae Jung; (KR)
Mandataire : CHO, Young Hyun; (Daeju Patent & Law Office) 8F, Gyeongmok Bldg., (Seocho-dong), 3, Seoun-ro Seocho-gu Seoul 137-070 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2012-0063958 14.06.2012 KR
Titre (EN) RAPID HEAT TREATMENT SYSTEM FOR THIN FILM OF SOLAR CELL
(FR) SYSTÈME DE TRAITEMENT THERMIQUE RAPIDE D'UN MINCE FILM D'UNE CELLULE SOLAIRE
(KO) 태양 전지용 박막 급속 열처리 시스템
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a rapid heat treatment system for a thin film of a solar cell. The rapid heat treatment system for the thin film of the solar cell according to the present invention comprises: a chamber for forming a storage space; a casing for forming an enclosed space in which a substrate is arranged; a lamp for heating the substrate; and an injection unit for injecting a reaction gas into the enclosed space.
(FR)La présente invention se rapporte à un système de traitement thermique rapide d'un mince film d'une cellule solaire. Le système de traitement thermique rapide d'un mince film de la cellule solaire selon la présente invention comprend : une chambre destinée à former un espace de stockage ; un boîtier destiné à former un espace fermé dans lequel est agencé un substrat ; une lampe destinée à chauffer le substrat ; et une unité d'injection destinée à injecter un gaz de réaction dans l'espace fermé.
(KO)본 발명은 태양 전지용 박막 열처리 시스템에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 태양 전지용 박막 열처리 시스템은 수용공간을 형성하는 챔버;와 기판이 배치되는 밀폐공간을 형성하는 케이싱;과 기판에 열을 가하는 램프;와 밀폐공간에 반응가스를 분사하는 분사부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)