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1. (WO2013187542) GEL SYNTHÉTIQUE POUR CROISSANCE CRISTALLINE INDUISANT UNIQUEMENT UNE CROISSANCE SECONDAIRE À PARTIR D'UNE SURFACE À BASE D'UN CRISTAL GERME DE TYPE SILICALITE-1 OU ZÉOLITHE BÊTA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/187542    N° de la demande internationale :    PCT/KR2012/004726
Date de publication : 19.12.2013 Date de dépôt international : 15.06.2012
CIB :
C07F 7/10 (2006.01), B01J 2/08 (2006.01), C07B 61/00 (2006.01)
Déposants : INTELLECTUAL DISCOVERY CO., LTD. [KR/KR]; 10th Floor Golden Tower 511, Samseong-ro Gangnam-gu Seoul 135-745 (KR) (Tous Sauf US).
YOON, Kyung Byung [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
PHAM, Cao Thanh Tung [VN/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Hyun Sung [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : YOON, Kyung Byung; (KR).
PHAM, Cao Thanh Tung; (KR).
KIM, Hyun Sung; (KR)
Mandataire : SON, Min; Hanol Intellectual Property & Law STX R&D Center, 6th Floor Yangjaecheon St. 163, Gangnam-gu Seoul 135-855 (KR)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SYNTHETIC GEL FOR CRYSTAL GROWTH INDUCING ONLY SECONDARY GROWTH FROM SURFACE OF SILICALITE-1 OR ZEOLITE BETA SEED CRYSTAL
(FR) GEL SYNTHÉTIQUE POUR CROISSANCE CRISTALLINE INDUISANT UNIQUEMENT UNE CROISSANCE SECONDAIRE À PARTIR D'UNE SURFACE À BASE D'UN CRISTAL GERME DE TYPE SILICALITE-1 OU ZÉOLITHE BÊTA
(KO) 실리카라이트-1 또는 제올라이트 베타 종자 결정들의 표면으로부터 2차 성장만을 유도하는 결정 성장 합성젤
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a synthetic gel for crystal growth, which induces only secondary growth from the surface of a silicalite-1 or zeolite beta seed crystal and cannot induce crystal nucleation in the synthetic gel for crystal growth or on the surface of the seed crystal. The synthetic gel contains fumed silica, tetraethylammonium hydroxide (TEAOH), [(NH4)2SiF6], KOH, and H2O, or contains tetraethylorthosilicate (TEOS), tetraethylammonium hydroxide (TEAOH), hydrogen fluoride, and H2O.
(FR)Cette invention concerne un gel synthétique pour croissance cristalline, qui induit uniquement une croissance secondaire à partir de la surface d'un cristal germe de type silicalite-1 ou zéolithe bêta et ne peut pas induire de nucléation cristalline dans le gel synthétique pour croissance cristalline selon l'invention ou dans la surface cristalline du germe. Le gel synthétique selon l'invention contient de la fumée de silice, de l'hydroxyde de tétraéthylammonium (TEAOH), [(NH4)2SiF6], KOH, et H2O, ou contient un tétraéthylorthosilicate (TEOS), un hydroxyde de tétraéthylammonium (TEAOH), du fluorure d'hydrogène, et H2O.
(KO)본 발명은 실리카라이트-1(SL) 또는 제올라이트 베타(BEA) 종자 결정들의 표면으로부터 2차 성장만을 유도하고 결정 성장 합성젤 중 또는 종자 결정 표면에서 결정 핵 생성반응(crystal nucleation)을 유도하지는 못하는 결정 성장 합성젤을 제공한다. 상기 합성젤은 흄드 실리카(fumed silica), 테트라에틸암모늄 하이드록사이드(tetraethylammonium hydroxide, TEAOH), [(NH4)2SiF6], KOH, 및 H2O을 함유하거나, 테트라에틸오르쏘실리케이트(Tetraethylorthosilicate, TEOS), 테트라에틸암모늄 하이드록사이드(tetraethylammonium hydroxide, TEAOH, 불화수소(hydrogen fluoride) 및 H2O 을 함유한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)