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1. (WO2013187450) FLUIDE DE REVÊTEMENT POUR FILM DE REVÊTEMENT À BASE D'OXYDE MÉTALLIQUE ET FILM OBTENU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/187450    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/066269
Date de publication : 19.12.2013 Date de dépôt international : 12.06.2013
CIB :
C09D 185/00 (2006.01), C09D 183/04 (2006.01)
Déposants : NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 7-1, Kanda-Nishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054 (JP)
Inventeurs : EGUCHI, Kazuki; (JP).
MURAKAJI, Keita; (JP).
MOTOYAMA, Kenichi; (JP)
Mandataire : SENMYO, Kenji; 4th Floor, SIA Kanda Square, 17, Kanda-konyacho, Chiyoda-ku, Tokyo 1010035 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-135055 14.06.2012 JP
Titre (EN) COATING FLUID FOR METAL OXIDE COATING FILM AND METAL OXIDE COATING FILM
(FR) FLUIDE DE REVÊTEMENT POUR FILM DE REVÊTEMENT À BASE D'OXYDE MÉTALLIQUE ET FILM OBTENU
(JA) 金属酸化物被膜用塗布液及び金属酸化物被膜
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a coating fluid for a metal oxide coating film, having good film-forming properties and sufficient hardness for protection of ITO and other transparent electrodes, and which forms a coating film that can be patterned using photolithography. The coating fluid for the metal oxide coating film is obtained by: hydrolyzing/condensing a metal alkoxide indicated by formula (I) and an organic tin compound indicated by formula (IIA) or formula (IIB) in an organic solvent in the presence of a metal salt indicated by formula (III); and then adding a precipitation inhibitor. M1 (OR1)n. (I) (M1 indicates Si, Mg, Zn, Ti, Ta, Zr, B, In, Bi, or Nb. R1 indicates a C1-5 alkyl group. n indicates an integer of 2-5.) Sn (OOCR2)2 (IIA) (R2 indicates a C1-20 alkyl group that can be substituted by a fluorine atom and can have a hetero atom.) Sn (R3COCHCOR4)2 (IIB) (R3 and R4 indicate C1-20 alkyl groups that can be substituted by a fluorine atom and can have a hetero atom.) M3 (X)k (III) (M3 indicates Al, In, Zn, Zr, Bi, La, Ta, Y, or Ce. X indicates chlorine, nitric acid, acetic acid, oxalic acid, sulfamic acid, sulfonic acid, acetoacetic acid, acetylacetonate, or a basic salt thereof. k is the valence of M3.)
(FR)Cette invention concerne un fluide de revêtement pour film de revêtement à base d'oxyde métallique, ayant de bonnes propriétés filmogènes et une dureté suffisante pour protéger les électrodes en ITO et autres électrodes transparentes, et qui forme un film de revêtement qui peut être structuré par photolithographie. Le fluide de revêtement pour film de revêtement à base d'oxyde métallique selon l'invention est obtenu par : hydrolyse/condensation d'un alcoxyde métallique représenté par la formule (I) et d'un composé d'étain organique représenté par la formule (IIA) ou la formule (IIB) dans un solvant organique en présence d'un sel métallique représenté par la formule (III); puis ajout d'un inhibiteur de précipitation. M1 (OR1)n. (I) (M1 représente Si, Mg, Zn, Ti, Ta, Zr, B, In, Bi, ou Nb. R1 représente un groupe alkyle C1-5. n est un entier de 2 à 5). Sn (OOCR2)2 (IIA) (R2 représente un groupe alkyle C1-20 qui peut être substitué par un atome de fluor et peut comporter un hétéroatome). Sn (R3COCHCOR4)2 (IIB) (R3 et R4 représentent des groupes alkyle C1-20 qui peuvent être substitués par un atome de fluor et peuvent comporter un hétéroatome). M3 (X)k (III) (M3 représente Al, In, Zn, Zr, Bi, La, Ta, Y, ou Ce. X représente le chlore, l'acide nitrique, l'acide acétique, l'acide oxalique, l'acide sulfamique, l'acide sulfonique, l'acide acétoacétique, l'acétonate d'acétyle, ou un de leurs sels basiques, k étant la valence de M3).
(JA) ITOなどの透明電極の保護に充分な硬度及び良好な成膜性を有し、かつ、フォトリソグラフィーによりパターニング可能な被膜を形成する金属酸化物被膜用塗布液を提供する。 式(I)で示される金属アルコキシドと、式(IIA)又は式(IIB)で示される有機すず化合物とを、式(III)で示される金属塩の存在下に有機溶媒中で加水分解・縮合し、さらに析出防止剤を添加して得られる金属酸化物被膜用塗布液。 M(OR (I) (MはSi、Mg、Zn、Ti、Ta、Zr、B、In、Bi又はNb。Rは炭素数1~5のアルキル基。nは2~5の整数)。 Sn(OOCR (IIA) (Rはフッ素原子で置換されてもよく、またヘテロ原子を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基) Sn(RCOCHCOR (IIB) (R、Rはフッ素原子で置換されてもよく、またヘテロ原子を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基) M(X) (III) (MはAl、In、Zn、Zr、Bi、La、Ta、Y又はCe。Xは塩素、硝酸、硫酸、酢酸、蓚酸、スファミン酸、スルホン酸、アセト酢酸、アセチルアセトナート又はこれらの塩基性塩。kはMの価数)
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)