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1. (WO2013187429) PROCÉDÉ DE GRAVURE PAR PLASMA ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/187429    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/066162
Date de publication : 19.12.2013 Date de dépôt international : 12.06.2013
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventeurs : WATANABE, Hikaru; (JP)
Mandataire : KANEMOTO, Tetsuo; Hazuki International, Kakubari Building, 1-20, Sumiyoshi-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 1620065 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-136093 15.06.2012 JP
61/663,133 22.06.2012 US
Titre (EN) PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA TREATMENT DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE PAR PLASMA ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマエッチング方法及びプラズマ処理装置
Abrégé : front page image
(EN)A method for performing plasma etching on a silicon oxide film layer laminated on a wafer, using a silicon mask formed on the silicon oxide film as the mask; wherein the silicon oxide film layer (3) is etched using a plasma of a CF-containing gas, and an Si-containing material is then deposited on the mask using a plasma of an Si-containing gas, after which the silicon oxide film layer is again etched using a plasma of a CF-containing gas in a state in which the Si-containing material is deposited on the silicon mask. A hole having an aspect ratio equal to or greater than 60 is thereby formed.
(FR)La présente invention concerne un procédé de réalisation de gravure par plasma sur une couche de film d'oxyde de silicium stratifié sur une tranche, à l'aide d'un masque de silicium formé sur le film d'oxyde de silicium en tant que masque ; dans lequel la couche de film d'oxyde de silicium (3) est gravée à l'aide d'un plasma d'un gaz contenant CF, et un matériau contenant Si est ensuite déposé sur le masque à l'aide d'un plasma d'un gaz contenant Si, après quoi la couche de film d'oxyde de silicium est à nouveau gravée à l'aide d'un plasma d'un gaz contenant CF dans l'état dans lequel le matériau contenant Si est déposé sur le masque de silicium. Un trou ayant un rapport d'aspect supérieur ou égal à 60 est ainsi formé.
(JA) ウェハ上に積層されたシリコン酸化膜層を、当該シリコン酸化膜上に形成されたシリコンマスクをマスクとしてプラズマエッチング処理する方法であって、CF含有ガスのプラズマによりシリコン酸化膜層3のエッチング処理を行い、次いで、Si含有ガスのプラズマによりマスク上にSi含有物を堆積させ、その後、シリコンのマスク上にSi含有物を堆積させた状態で、CF含有ガスのプラズマにより再度シリコン酸化膜層のエッチング処理を行う。これにより、アスペクト比が60以上のホールを形成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)