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1. (WO2013187171) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/187171    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/063482
Date de publication : 19.12.2013 Date de dépôt international : 15.05.2013
CIB :
H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/22 (2010.01), H01S 5/343 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-Cho, Abeno-Ku, Osaka-Shi, Osaka 5458522 (JP)
Inventeurs : NAKATSU Hiroshi; .
INOUE Tomoya; .
NONAKA Kentaro; .
ASAI Toshiaki; .
TAKEOKA Tadashi; .
TANI Yoshihiko;
Mandataire : SANO Shizuo; Tenmabashi-Yachiyo Bldg. Bekkan, 2-6, Tenmabashi-Kyomachi, Chuo-Ku, Osaka-Shi, Osaka 5400032 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-133489 13.06.2012 JP
Titre (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A nitride semiconductor light emitting element (1) is provided with: a substrate (3); a buffer layer (5) that is provided on the substrate (3); a base layer (7) that is provided on the buffer layer (5); an n-side nitride semiconductor layer that is provided on the base layer (7); an MQW light emitting layer (14) that is provided on the n-side nitride semiconductor layer; and a p-side nitride semiconductor layer that is provided on the MQW light emitting layer (14). An x-ray rocking curve half-value width (ω(004)) with respect to a (004) plane, i.e., the crystal plane of each of the layers constituting the nitride semiconductor light emitting element (1), is 40 arcsec or less, or the x-ray rocking curve half-value width (ω(102)) with respect to a (102) plane is 130 arcsec or less, and the rate P(80)/P(25) between light output (P(25)) at 25°C and light output (P(80)) at 80°C with a same operating current is 95% or more.
(FR)L'invention concerne un élément électroluminescent semi-conducteur au nitrure (1) qui comporte : un substrat (3) ; une couche tampon (5) qui est disposée sur le substrat (3) ; une couche de base (7) qui est disposée sur la couche tampon (5) ; une couche semi-conductrice au nitrure du côté de type n qui est disposée sur la couche de base (7) ; une couche électroluminescente à puits quantiques multiples (14) qui est disposée sur la couche semi-conductrice au nitrure du côté de type n ; et une couche semi-conductrice au nitrure du côté de type p qui est disposée sur la couche électroluminescente à puits quantiques multiples (14). Une largeur de demi-valeur de courbe d'oscillation de rayons X (ω(004)) par rapport à un plan (004), c.-à-d. le plan cristallin de chacune des couches constituant l'élément électroluminescent semi-conducteur au nitrure (1), est inférieure ou égale à 40 secondes d'arc, ou la largeur de demi-valeur de courbe d'oscillation de rayons X (ω(102)) par rapport à un plan (102) est inférieure ou égale à 130 secondes d'arc, et le taux P(80)/P(25) entre le rendement d'éclairage (P(25)) à 25 °C et le rendement d'éclairage (P(80)) à 80 °C avec un même courant de fonctionnement est supérieur ou égal à 95 %.
(JA) 窒化物半導体発光素子1は基板3と、基板3上に設けたバッファ層5と、バッファ層5上に設けた下地層7と、下地層7上に設けたn側窒化物半導体層と、n側窒化物半導体層上に設けたMQW発光層14と、MQW発光層14上に設けたp側窒化物半導体層と、を備え、窒化物半導体発光素子1を構成する各層の結晶面である(004)面についてのX線のロッキングカーブ半値幅ω(004)が40arcsec以下、または(102)面についてのX線のロッキングカーブ半値幅ω(102)が130arcsec以下であり、同一動作電流における25℃における光出力P(25)と80℃における光出力P(80)との比率P(80)/P(25)が95%以上である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)