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1. (WO2013187085) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/187085    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/054391
Date de publication : 19.12.2013 Date de dépôt international : 21.02.2013
CIB :
H01L 27/14 (2006.01)
Déposants : HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP)
Inventeurs : YONETA Yasuhito; (JP).
TAKISAWA Ryoto; (JP).
ISHIHARA Shingo; (JP).
SUZUKI Hisanori; (JP).
MURAMATSU Masaharu; (JP)
Mandataire : HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-136201 15.06.2012 JP
Titre (EN) MANUFACTURING METHOD FOR SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a manufacturing method for a solid-state imaging device whereby the method is simplified. The manufacturing method for a solid-state imaging device (1) includes: a first step for preparing an imaging element (10) that includes a principal surface (S1) onto which an energy ray is incident, a principal surface (S2) which faces the principal surface (S1) and upon which an electrode (14) is disposed, and a photoelectric conversion portion (11) which photoelectrically converts the incident energy ray and generates a signal charge; a second step for preparing a support substrate (20) that has at least one through-hole (23) which extends in the thickness direction, and principal surfaces (S3, S4) which face each other; a third step for aligning the positions of the imaging element (10) and the support substrate (20) so that the principal surfaces (S2, S3) face each other and one electrode (14) is exposed from one through-hole (23), and joining the imaging element (10) and the support substrate (20); and a fourth step, subsequent to the third step, for embedding a conductive member (30) in the through-hole (23).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif d'imagerie à semi-conducteur, ledit procédé simplifiant la fabrication. Le procédé de fabrication d'un dispositif d'imagerie (1) à semi-conducteur comprend les étapes suivantes : une première étape qui consiste à préparer un élément d'imagerie (10) qui comprend une surface principale (S1) sur laquelle un rayonnement d'énergie est incident, une surface principale (S2) qui fait face à la surface principale (S1) et sur laquelle est disposée une électrode (14), et une partie conversion photoélectrique (11) qui effectue la conversion photoélectrique du rayonnement d'énergie incident et génère une charge de signal ; une deuxième étape qui consiste à préparer un substrat de support (20) qui présente au moins un trou traversant (23) qui s'étend dans le sens de l'épaisseur, et des surfaces principales (S3, S4) disposées en face l'une de l'autre ; une troisième étape qui consiste à aligner la position de l'élément d'imagerie (10) et la position du substrat de support (20) de telle manière que les surfaces principales (S2, S3) soient en face l'une de l'autre et que l'électrode (14) soit exposée à partir d'un trou traversant (23), et à assembler l'élément d'imagerie (10) et le substrat de support (20) ; et une quatrième étape qui suit la troisième étape et qui consiste à incorporer un élément conducteur (30) dans le trou traversant (23).
(JA) 容易に製造を行える固体撮像装置の製造方法を提供する。 固体撮像装置1の製造方法は、エネルギー線が入射される主面S1と、主面S1に対向すると共に電極14が配置された主面S2と、入射されたエネルギー線を光電変換して信号電荷を発生する光電変換部11とを含む撮像素子10を用意する第1の工程と、厚さ方向に延びる貫通孔23が少なくとも一つ設けられると共に互いに対向する主面S3,S4を有する支持基板20を用意する第2の工程と、主面S2,S3が対向し且つ一つの貫通孔23から一つの電極14が露出するように撮像素子10と支持基板20とを位置合わせして、撮像素子10と支持基板20とを接合する第3の工程と、第3の工程の後に、貫通孔23内に導電部材30を埋め込む第4の工程とを有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)